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20160013_0008
© John PUSCEDDU / CRHEA / L2C / CINaM / LPN / CNRS Photothèque

Croissance de graphène par dépôt chimique en phase vapeur sur carbure de silicium

Référence

20160013_0008

Année de production

2015

Taille maximale

39.01 x 26.01 cm / 300 dpi

Légende

Déchargement d'un échantillon de carbure de silicium (SiC) d'un bâti de croissance au Centre de recherche sur l'hétéro-épitaxie et ses applications (CRHEA). Une croissance de graphène par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) sera réalisée sur cet échantillon. Les chercheurs ont démontré que les propriétés électroniques du graphène permettent de réaliser un étalon de résistance électrique très précis, pratique et compatible avec des dispositifs de refroidissement sans hélium. Avant cela, l'étalon de résistance électrique était réalisé par la mise en œuvre de l'effet Hall quantique dans des dispositifs semiconducteurs en arséniure de gallium. Cependant, ce matériau imposait l'utilisation de très basses températures et de forts champs magnétiques.

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