Les résultats de recherche pour :

Croissance de graphène dans un réacteur d'épitaxie sur carbure de silicium (SiC). Cette croissance est effectuée par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) au Centre de recherche sur l'hétéroépitaxie et ses applications (CRHEA). Les chercheurs ont démontré que les propriétés électroniques du graphène permettent de réaliser un étalon de résistance électrique très précis, pratique et compatible avec des dispositifs de refroidissement sans hélium. Avant cela, l'étalon de résistance électrique était…

Chargement d'un échantillon de carbure de silicium (SiC) dans un réacteur d'épitaxie au Centre de recherche sur l'hétéroépitaxie et ses applications (CRHEA). Une croissance de graphène par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) sera réalisée sur cet échantillon. Les chercheurs ont démontré que les propriétés électroniques du graphène permettent de réaliser un étalon de résistance électrique très précis, pratique et compatible avec des dispositifs de refroidissement sans hélium. Avant cela, l…

Réglage des paramètres de croissance de graphène par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) sur du carbure de silicium (SiC) au Centre de recherche sur l'hétéro-épitaxie et ses applications (CRHEA). Les chercheurs ont démontré que les propriétés électroniques du graphène permettent de réaliser un étalon de résistance électrique très précis, pratique et compatible avec des dispositifs de refroidissement sans hélium. Avant cela, l'étalon de résistance électrique était réalisé par la mise en œuvre…

Observation de la morphologie de la surface d'un échantillon de graphène par microscopie à force atomique, au Centre de recherche sur l'hétéro-épitaxie et ses applications (CRHEA). Les chercheurs ont démontré que les propriétés électroniques du graphène permettent de réaliser un étalon de résistance électrique très précis, pratique et compatible avec des dispositifs de refroidissement sans hélium. Pour cela, ils réalisent une croissance de graphène par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) sur…

Clivage d'un substrat de carbure de silicium (SiC), pour une croissance de graphène par dépôt chimique en phase vapeur (CVD), au Centre de recherche sur l'hétéro-épitaxie et ses applications (CRHEA). Les chercheurs ont démontré que les propriétés électroniques du graphène permettent de réaliser un étalon de résistance électrique très précis, pratique et compatible avec des dispositifs de refroidissement sans hélium. Avant cela, l'étalon de résistance électrique était réalisé par la mise en…

Déchargement d'un échantillon de carbure de silicium (SiC) d'un bâti de croissance au Centre de recherche sur l'hétéro-épitaxie et ses applications (CRHEA). Une croissance de graphène par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) sera réalisée sur cet échantillon. Les chercheurs ont démontré que les propriétés électroniques du graphène permettent de réaliser un étalon de résistance électrique très précis, pratique et compatible avec des dispositifs de refroidissement sans hélium. Avant cela, l…

Réglage d'un microscope à force atomique pour l'observation de la morphologie de la surface d'échantillons de graphène, au Centre de recherche sur l'hétéro-épitaxie et ses applications (CRHEA). Les chercheurs ont démontré que les propriétés électroniques du graphène permettent de réaliser un étalon de résistance électrique très précis, pratique et compatible avec des dispositifs de refroidissement sans hélium. Pour cela, ils réalisent une croissance de graphène par dépôt chimique en phase…

Mise en place d'un échantillon de graphène pour une observation de la morphologie de sa surface par microscopie à force atomique, au Centre de recherche sur l'hétéro-épitaxie et ses applications (CRHEA). Les chercheurs ont démontré que les propriétés électroniques du graphène permettent de réaliser un étalon de résistance électrique très précis, pratique et compatible avec des dispositifs de refroidissement sans hélium. Pour cela, ils réalisent une croissance de graphène par dépôt chimique en…

Observation d'un substrat de carbure de silicium (SiC) clivé, pour une croissance de graphène par dépôt chimique en phase vapeur (CVD), au Centre de recherche sur l'hétéro-épitaxie et ses applications (CRHEA). Les chercheurs ont démontré que les propriétés électroniques du graphène permettent de réaliser un étalon de résistance électrique très précis, pratique et compatible avec des dispositifs de refroidissement sans hélium. Avant cela, l'étalon de résistance électrique était réalisé par la…

Clivage d'un substrat de carbure de silicium (SiC), pour une croissance de graphène par dépôt chimique en phase vapeur (CVD), au Centre de recherche sur l'hétéro-épitaxie et ses applications (CRHEA). Les chercheurs ont démontré que les propriétés électroniques du graphène permettent de réaliser un étalon de résistance électrique très précis, pratique et compatible avec des dispositifs de refroidissement sans hélium. Avant cela, l'étalon de résistance électrique était réalisé par la mise en…

Positionnement dans une encoche, d'un échantillon sur un porte-substrat, à l'intérieur d'une boîte à gants. Cette dernière est reliée à un équipement d'épitaxie en phase vapeur aux organométalliques (MOCVD), utilisé pour la croissance de nanostructures semiconductrices, en salle blanche. L'objectif est de mettre au point des composants nanophotoniques pour obtenir de l'émission de lumière dans des dispositifs de plus en plus compacts.

Positionnement d'un échantillon très réfléchissant sur un porte-substrat, à l'intérieur d'une boîte à gants. Cette dernière est reliée à un équipement d'épitaxie en phase vapeur aux organométalliques (MOCVD), utilisé pour la croissance de nanostructures semiconductrices, en salle blanche. L'objectif est de mettre au point des composants nanophotoniques pour obtenir de l'émission de lumière dans des dispositifs de plus en plus compacts.

Positionnement d'un substrat de semiconducteur sur un porte-substrat. Il s'agit d'une étape technologique réalisée en salle blanche, après croissance de nanostructures semiconductrices sur un subtrat et avant l'étape de lithographie électronique. L'objectif est de mettre au point des composants nanophotoniques, pour obtenir de l'émission de lumière dans des dispositifs de plus en plus compacts.

Positionnement d'un substrat de semiconducteur sur un porte-substrat. Il s'agit d'une étape technologique réalisée en salle blanche, après croissance de nanostructures semiconductrices sur un subtrat et avant l'étape de lithographie électronique. L'objectif est de mettre au point des composants nanophotoniques, pour obtenir de l'émission de lumière dans des dispositifs de plus en plus compacts.

Positionnement d'un substrat de semiconducteur sur un porte-substrat. Il s'agit d'une étape technologique réalisée en salle blanche, après croissance de nanostructures semiconductrices sur un subtrat et avant l'étape de lithographie électronique. L'objectif est de mettre au point des composants nanophotoniques, pour obtenir de l'émission de lumière dans des dispositifs de plus en plus compacts.

Equipement d'épitaxie en phase vapeur aux organométalliques (MOCVD) utilisé pour la croissance de nanostructures semiconductrices, en salle blanche. L'objectif est de mettre au point des composants nanophotoniques, pour obtenir de l'émission de lumière dans des dispositifs de plus en plus compacts.

Positionnement d'un échantillon sur un porte-substrat, à l'intérieur d'une boîte à gants. Cette dernière est reliée à un équipement d'épitaxie en phase vapeur aux organométalliques (MOCVD), utilisé pour la croissance de nanostructures semiconductrices, en salle blanche. L'objectif est de mettre au point des composants nanophotoniques pour obtenir de l'émission de lumière dans des dispositifs de plus en plus compacts.

Positionnement d'un échantillon sur un porte-substrat, à l'intérieur d'une boîte à gants. Cette dernière est reliée à un équipement d'épitaxie en phase vapeur aux organométalliques (MOCVD), utilisé pour la croissance de nanostructures semiconductrices, en salle blanche. L'objectif est de mettre au point des composants nanophotoniques pour obtenir de l'émission de lumière dans des dispositifs de plus en plus compacts.

Alberto Amo et Jacqueline Bloch mènent une expérience d'optique pour créer et manipuler un type de lumière cohérente appelé condensat de polaritons, dans un microcircuit. Ce condensat est issu du couplage intime entre la lumière et les électrons d'un semiconducteur. Les semiconducteurs permettent de piéger la lumière et de la faire interagir fortement avec la matière. Les condensats de polaritons montrent des propriétés physiques fascinantes tout en ouvrant la voie à de nouveaux dispositifs…

Alberto Amo et Jacqueline Bloch mènent une expérience d'optique pour créer et manipuler un type de lumière cohérente appelé condensat de polaritons, dans un microcircuit. Ce condensat est issu du couplage intime entre la lumière et les électrons d'un semiconducteur. Les semiconducteurs permettent de piéger la lumière et de la faire interagir fortement avec la matière. Les condensats de polaritons montrent des propriétés physiques fascinantes tout en ouvrant la voie à de nouveaux dispositifs…

Alberto Amo et Jacqueline Bloch mènent une expérience d'optique pour créer et manipuler un type de lumière cohérente appelé condensat de polaritons, dans un microcircuit. Ce condensat est issu du couplage intime entre la lumière et les électrons d'un semiconducteur. Les semiconducteurs permettent de piéger la lumière et de la faire interagir fortement avec la matière. Les condensats de polaritons montrent des propriétés physiques fascinantes tout en ouvrant la voie à de nouveaux dispositifs…

Alberto Amo et Jacqueline Bloch mènent une expérience d'optique pour créer et manipuler un type de lumière cohérente appelé condensat de polaritons, dans un microcircuit. Ce condensat est issu du couplage intime entre la lumière et les électrons d'un semiconducteur. Les semiconducteurs permettent de piéger la lumière et de la faire interagir fortement avec la matière. Les condensats de polaritons montrent des propriétés physiques fascinantes tout en ouvrant la voie à de nouveaux dispositifs…

Echantillon après une croissance épitaxiale de nanofils de GaAs (arséniure de gallium). Contrairement à un substrat vierge réfléchissant (plaque circulaire), le morceau de substrat recouvert de nanofils (morceau triangulaire) apparaît noir : la lumière incidente est piégée dans le réseau de nanofils. Les réseaux de nanofils peuvent être utilisés pour réaliser des cellules photovoltaïques sur des supports à bas coût. Leur faible réflectance est très avantageuse du point de vue de cette…

Transfert d'un échantillon, un substrat de semiconducteur III-V (GaAs arséniure de gallium ou InP phosphure d'indium), dans un bâti d'épitaxie par jets moléculaires. Après son dégazage, l'échantillon est transféré dans la chambre de croissance. Cette chambre est munie de 11 sources de matériaux élémentaires (aluminium, gallium, indium, azote, phosphore, arsenic, antimoine, silicium, carbone) pour l'élaboration de composés semiconducteurs III-V et leur dopage. Les échantillons ainsi élaborés…

Analyse de nanomatériaux semiconducteurs par microscopie électronique en transmission. Des informations sur la structure cristalline, la morphologie et la composition chimique de ces nanomatériaux sont accessibles. Cette activité d'analyse est un support indispensable aux activités d'élaboration de matériaux au LPN.

Mise en circulation de l'eau de refroidissement d'une cellule d'évaporation montée sur une chambre d'épitaxie par jets moléculaires. Cette chambre est munie de 11 sources de matériaux élémentaires (aluminium, gallium, indium, azote, phosphore, arsenic, antimoine, silicium, carbone) pour l'élaboration de composés semiconducteurs III-V et leur dopage. Les échantillons ainsi élaborés servent à réaliser des dispositifs pour l'électronique et la photonique.

Extrémité du porte-échantillon d'un microscope électronique en transmission. Une fine lame du matériau semiconducteur à analyser est fixée à l'extrémité du porte-échantillon. Dans le cas de nanomatériaux, il suffit de disperser ces objets, de quelques nanomètres à quelques dizaines de nanomètres d'épaisseur, sur un support transparent aux électrons (une fine membrane de carbone par exemple). Dans le microscope, deux axes de rotation permettront d'orienter les axes cristallographiques de l…

Réalisation d'une croissance par épitaxie par jets moléculaires. La chambre de croissance est pilotée par ordinateur. Elle permet d'élaborer des hétérostructures de semiconducteurs III-V. La palette d'alliages réalisables est particulièrement étendue sur cet équipement : nitrures, phosphures, arséniures et antimoniures d'éléments III. Les échantillons ainsi élaborés servent à réaliser des dispositifs pour l'électronique et la photonique.

Transfert d'un échantillon dans un bâti d'épitaxie par jets moléculaires. Un substrat de semiconducteur III-V (GaAs arséniure de gallium ou InP phosphure d'indium) est introduit dans le système via le sas, visible en bas à gauche. Après pompage du sas, l'opératrice transfère cet échantillon vers le module suivant. L'échantillon est alors chauffé sous vide afin de se débarrasser des gaz adsorbés à sa surface avant l'étape d'épitaxie. Les échantillons ainsi élaborés servent à réaliser des…

Montage d'un échantillon sur un porte-échantillon de microscope électronique en transmission. Une fine lame du matériau semiconducteur à analyser est fixée à l'extrémité du porte-échantillon. Dans le cas de nanomatériaux, il suffit de disperser ces objets, de quelques nanomètres à quelques dizaines de nanomètres d'épaisseur, sur un support transparent aux électrons (une fine membrane de carbone par exemple). Dans le microscope, deux axes de rotation permettront d'orienter les axes…

Introduction du porte-échantillon dans le sas de la colonne d'un microscope électronique en transmission. L'objectif est d'analyser des nanomatériaux semiconducteurs. Des informations sur la structure cristalline, la morphologie et la composition chimique de ces nanomatériaux sont alors accessibles. Cette activité d'analyse est un support indispensable aux activités d'élaboration de matériaux au LPN.

Transfert d'un échantillon, un substrat de semiconducteur III-V (GaAs arséniure de gallium ou InP phosphure d'indium), dans un bâti d'épitaxie par jets moléculaires. Après son dégazage, l'échantillon est transféré dans la chambre de croissance. Cette chambre est munie de 11 sources de matériaux élémentaires (aluminium, gallium, indium, azote, phosphore, arsenic, antimoine, silicium, carbone) pour l'élaboration de composés semiconducteurs III-V et leur dopage. Les échantillons ainsi élaborés…

Travail en salle de lithographie électronique. La lithographie électronique est une étape indispensable pour la réalisation de masques optiques, ou pour l'écriture directe et la réalisation de nanostructures de taille réduite (10 nm-500 nm).

Travail en salle de lithographie électronique. La lithographie électronique est une étape indispensable pour la réalisation de masques optiques, ou pour l'écriture directe et la réalisation de nanostructures (10nm-100nm).

Contrôle visuel de l'état de surface d'un substrat en silicium.

Préparation d'un substrat de GaAs (arséniure de gallium) pour la croissance par épitaxie par jets moléculaires (EJM) sous ultra-vide. Cette technique permet de déposer sur ce substrat de fines couches semiconductrices avec une précision de quelques plans atomiques (de l'ordre du nanomètre).

Traitement d'un échantillon par solvants. La chimie humide est une des étapes technologique importante dans la réalisation des dispositifs.

Bâti de métallisation par effet Joule. Ce bâti permet le dépôt d'aluminium (pour la réalisation de masques de gravure, l'observation au microscope électronique à balayage ou la lithographie électronique sur isolant) et le dépôt de contacts ohmiques à base d'antimoine (Sb/Au) pour les nanostructures magnétiques sur GaAs.

Traitements chimiques d'un échantillon. La chimie humide est une des étapes technologique importante dans la réalisation des dispositifs. Les principaux traitements chimiques effectués sont : le traitement par solvants, l'attaque acido-basique des semi-conducteurs, la chimie spécifique à la micro-fluidique, la chimie électrolytique pour les dépôts métalliques.

Bâti de dépôt de films minces diélectriques par pulvérisation cathodique radio fréquence magnétron : SiC, Si3N4, Al2O 3, SiO2, TiO2, AlN. Ce bâti permet par exemple de fabriquer des membranes ultrafines (100nm d'épaisseur) en SiC (carbure de silicium).

Observation au microscope électronique à balayage (MEB). Un microscope électronique à balayage utilise le balayage d'un faisceau d'électrons pour obtenir l'image d'un objet de taille micro- ou nanométrique. Les grossissements caractéristiques sont de l'ordre de 10 000 et peuvent atteindre plusieurs centaines de milliers, bien supérieurs à ceux obtenus en microscopie optique classique. C'est un équipement de caractérisation et de contrôle indispensable pour toutes les filières technologiques.

Observation au microscope optique de grilles de contact électrique de nanodispositifs à un électron.

Micro-pompes en PDMS (poly diméthyl siloxane) pour la micro-fluidique.

Travail en salle de lithographie électronique. La lithographie électronique est une étape indispensable pour la réalisation de masques optiques, ou pour l'écriture directe et la réalisation de nanostructures (10nm-100nm).

Chargement de substrats d'arséniure de gallium (GaAs) dans un système de croissance par épitaxie par jets moléculaires (EJM) sous ultra-vide. Cette technique permet de déposer sur ces substrats de fines couches semiconductrices avec une précision de quelques plans atomiques (de l'ordre du nanomètre).

Contrôle visuel de la surface d'un échantillon après dépôt.

Manipulation et observation d'un échantillon après gravure.