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20160013_0004
© John PUSCEDDU / CRHEA / L2C / CINaM / LPN / CNRS Photothèque

Echantillon de graphène mis en place sur un microscope à force atomique

Référence

20160013_0004

Année de production

2015

Taille maximale

39.01 x 26.01 cm / 300 dpi

Légende

Mise en place d'un échantillon de graphène pour une observation de la morphologie de sa surface par microscopie à force atomique, au Centre de recherche sur l'hétéro-épitaxie et ses applications (CRHEA). Les chercheurs ont démontré que les propriétés électroniques du graphène permettent de réaliser un étalon de résistance électrique très précis, pratique et compatible avec des dispositifs de refroidissement sans hélium. Pour cela, ils réalisent une croissance de graphène par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) sur du carbure de silicium (SiC). Avant ces recherches, l'étalon de résistance électrique était réalisé par la mise en œuvre de l'effet Hall quantique dans des dispositifs semiconducteurs en arséniure de gallium. Cependant, ce matériau imposait l'utilisation de très basses températures et de forts champs magnétiques.

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