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20160013_0005
© John PUSCEDDU / CRHEA / L2C / CINaM / LPN / CNRS Photothèque

Observation d'un échantillon de graphène par microscopie à force atomique

Référence

20160013_0005

Année de production

2015

Taille maximale

26.01 x 39.01 cm / 300 dpi

Légende

Observation de la morphologie de la surface d'un échantillon de graphène par microscopie à force atomique, au Centre de recherche sur l'hétéro-épitaxie et ses applications (CRHEA). Les chercheurs ont démontré que les propriétés électroniques du graphène permettent de réaliser un étalon de résistance électrique très précis, pratique et compatible avec des dispositifs de refroidissement sans hélium. Pour cela, ils réalisent une croissance de graphène par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) sur carbure de silicium (SiC). Avant ces recherches, l'étalon de résistance électrique était réalisé par la mise en œuvre de l'effet Hall quantique dans des dispositifs semiconducteurs en arséniure de gallium. Cependant, ce matériau imposait l'utilisation de très basses températures et de forts champs magnétiques.

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Thématiques scientifiques

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