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20160013_0002
© John PUSCEDDU / CRHEA / L2C / CINaM / LPN / CNRS Photothèque

Croissance de graphène par dépôt chimique en phase vapeur sur carbure de silicium

Référence

20160013_0002

Année de production

2015

Taille maximale

39.01 x 26.01 cm / 300 dpi

Légende

Chargement d'un échantillon de carbure de silicium (SiC) dans un réacteur d'épitaxie au Centre de recherche sur l'hétéroépitaxie et ses applications (CRHEA). Une croissance de graphène par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) sera réalisée sur cet échantillon. Les chercheurs ont démontré que les propriétés électroniques du graphène permettent de réaliser un étalon de résistance électrique très précis, pratique et compatible avec des dispositifs de refroidissement sans hélium. Avant cela, l'étalon de résistance électrique était réalisé par la mise en œuvre de l'effet Hall quantique dans des dispositifs semiconducteurs en arséniure de gallium. Cependant, ce matériau imposait l'utilisation de très basses températures et de forts champs magnétiques.

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