Retour au reportage Retour au reportage
20160013_0006

© John PUSCEDDU / CRHEA / L2C / CINaM / LPN / CNRS Images

Référence

20160013_0006

Substrat de carbure de silicium clivé, pour une croissance de graphène par dépôt chimique en phase vapeur

Observation d'un substrat de carbure de silicium (SiC) clivé, pour une croissance de graphène par dépôt chimique en phase vapeur (CVD), au Centre de recherche sur l'hétéro-épitaxie et ses applications (CRHEA). Les chercheurs ont démontré que les propriétés électroniques du graphène permettent de réaliser un étalon de résistance électrique très précis, pratique et compatible avec des dispositifs de refroidissement sans hélium. Avant cela, l'étalon de résistance électrique était réalisé par la mise en œuvre de l'effet Hall quantique dans des dispositifs semiconducteurs en arséniure de gallium. Cependant, ce matériau imposait l'utilisation de très basses températures et de forts champs magnétiques.

Institut(s)

Thématiques scientifiques

CNRS Images,

Nous mettons en images les recherches scientifiques pour contribuer à une meilleure compréhension du monde, éveiller la curiosité et susciter l'émerveillement de tous.