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20160013_0006
© John PUSCEDDU / CRHEA / L2C / CINaM / LPN / CNRS Photothèque

Substrat de carbure de silicium clivé, pour une croissance de graphène par dépôt chimique en phase vapeur

Référence

20160013_0006

Année de production

2015

Taille maximale

39.01 x 26.01 cm / 300 dpi

Légende

Observation d'un substrat de carbure de silicium (SiC) clivé, pour une croissance de graphène par dépôt chimique en phase vapeur (CVD), au Centre de recherche sur l'hétéro-épitaxie et ses applications (CRHEA). Les chercheurs ont démontré que les propriétés électroniques du graphène permettent de réaliser un étalon de résistance électrique très précis, pratique et compatible avec des dispositifs de refroidissement sans hélium. Avant cela, l'étalon de résistance électrique était réalisé par la mise en œuvre de l'effet Hall quantique dans des dispositifs semiconducteurs en arséniure de gallium. Cependant, ce matériau imposait l'utilisation de très basses températures et de forts champs magnétiques.

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Thématiques scientifiques

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