Production year
2015
© John PUSCEDDU / CRHEA / L2C / CINaM / LPN / CNRS Images
20160013_0004
Mise en place d'un échantillon de graphène pour une observation de la morphologie de sa surface par microscopie à force atomique, au Centre de recherche sur l'hétéro-épitaxie et ses applications (CRHEA). Les chercheurs ont démontré que les propriétés électroniques du graphène permettent de réaliser un étalon de résistance électrique très précis, pratique et compatible avec des dispositifs de refroidissement sans hélium. Pour cela, ils réalisent une croissance de graphène par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) sur du carbure de silicium (SiC). Avant ces recherches, l'étalon de résistance électrique était réalisé par la mise en œuvre de l'effet Hall quantique dans des dispositifs semiconducteurs en arséniure de gallium. Cependant, ce matériau imposait l'utilisation de très basses températures et de forts champs magnétiques.
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2015
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