Graphene, a new material for metrology

Déchargement d'un échantillon de carbure de silicium (SiC) d'un bâti de croissance au Centre de recherche sur l'hétéro-épitaxie et ses applications (CRHEA). Une croissance de graphène par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) sera réalisée sur cet échantillon. Les chercheurs ont démontré que les propriétés électroniques du graphène permettent de réaliser un étalon de résistance électrique très précis, pratique et compatible avec des dispositifs de refroidissement sans hélium. Avant cela, l…

Croissance de graphène dans un réacteur d'épitaxie sur carbure de silicium (SiC). Cette croissance est effectuée par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) au Centre de recherche sur l'hétéroépitaxie et ses applications (CRHEA). Les chercheurs ont démontré que les propriétés électroniques du graphène permettent de réaliser un étalon de résistance électrique très précis, pratique et compatible avec des dispositifs de refroidissement sans hélium. Avant cela, l'étalon de résistance électrique était…

Chargement d'un échantillon de carbure de silicium (SiC) dans un réacteur d'épitaxie au Centre de recherche sur l'hétéroépitaxie et ses applications (CRHEA). Une croissance de graphène par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) sera réalisée sur cet échantillon. Les chercheurs ont démontré que les propriétés électroniques du graphène permettent de réaliser un étalon de résistance électrique très précis, pratique et compatible avec des dispositifs de refroidissement sans hélium. Avant cela, l…

Réglage des paramètres de croissance de graphène par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) sur du carbure de silicium (SiC) au Centre de recherche sur l'hétéro-épitaxie et ses applications (CRHEA). Les chercheurs ont démontré que les propriétés électroniques du graphène permettent de réaliser un étalon de résistance électrique très précis, pratique et compatible avec des dispositifs de refroidissement sans hélium. Avant cela, l'étalon de résistance électrique était réalisé par la mise en œuvre…

Mise en place d'un échantillon de graphène pour une observation de la morphologie de sa surface par microscopie à force atomique, au Centre de recherche sur l'hétéro-épitaxie et ses applications (CRHEA). Les chercheurs ont démontré que les propriétés électroniques du graphène permettent de réaliser un étalon de résistance électrique très précis, pratique et compatible avec des dispositifs de refroidissement sans hélium. Pour cela, ils réalisent une croissance de graphène par dépôt chimique en…

Observation de la morphologie de la surface d'un échantillon de graphène par microscopie à force atomique, au Centre de recherche sur l'hétéro-épitaxie et ses applications (CRHEA). Les chercheurs ont démontré que les propriétés électroniques du graphène permettent de réaliser un étalon de résistance électrique très précis, pratique et compatible avec des dispositifs de refroidissement sans hélium. Pour cela, ils réalisent une croissance de graphène par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) sur…

Observation d'un substrat de carbure de silicium (SiC) clivé, pour une croissance de graphène par dépôt chimique en phase vapeur (CVD), au Centre de recherche sur l'hétéro-épitaxie et ses applications (CRHEA). Les chercheurs ont démontré que les propriétés électroniques du graphène permettent de réaliser un étalon de résistance électrique très précis, pratique et compatible avec des dispositifs de refroidissement sans hélium. Avant cela, l'étalon de résistance électrique était réalisé par la…

Clivage d'un substrat de carbure de silicium (SiC), pour une croissance de graphène par dépôt chimique en phase vapeur (CVD), au Centre de recherche sur l'hétéro-épitaxie et ses applications (CRHEA). Les chercheurs ont démontré que les propriétés électroniques du graphène permettent de réaliser un étalon de résistance électrique très précis, pratique et compatible avec des dispositifs de refroidissement sans hélium. Avant cela, l'étalon de résistance électrique était réalisé par la mise en…

Réglage d'un microscope à force atomique pour l'observation de la morphologie de la surface d'échantillons de graphène, au Centre de recherche sur l'hétéro-épitaxie et ses applications (CRHEA). Les chercheurs ont démontré que les propriétés électroniques du graphène permettent de réaliser un étalon de résistance électrique très précis, pratique et compatible avec des dispositifs de refroidissement sans hélium. Pour cela, ils réalisent une croissance de graphène par dépôt chimique en phase…

Clivage d'un substrat de carbure de silicium (SiC), pour une croissance de graphène par dépôt chimique en phase vapeur (CVD), au Centre de recherche sur l'hétéro-épitaxie et ses applications (CRHEA). Les chercheurs ont démontré que les propriétés électroniques du graphène permettent de réaliser un étalon de résistance électrique très précis, pratique et compatible avec des dispositifs de refroidissement sans hélium. Avant cela, l'étalon de résistance électrique était réalisé par la mise en…