Retour au reportage Retour au reportage
20160013_0007

© John PUSCEDDU / CRHEA / L2C / CINaM / LPN / CNRS Images

Reference

20160013_0007

Clivage d'un substrat de carbure de silicium, pour une croissance de graphène par dépôt chimique en phase vapeur

Clivage d'un substrat de carbure de silicium (SiC), pour une croissance de graphène par dépôt chimique en phase vapeur (CVD), au Centre de recherche sur l'hétéro-épitaxie et ses applications (CRHEA). Les chercheurs ont démontré que les propriétés électroniques du graphène permettent de réaliser un étalon de résistance électrique très précis, pratique et compatible avec des dispositifs de refroidissement sans hélium. Avant cela, l'étalon de résistance électrique était réalisé par la mise en œuvre de l'effet Hall quantique dans des dispositifs semiconducteurs en arséniure de gallium. Cependant, ce matériau imposait l'utilisation de très basses températures et de forts champs magnétiques.

CNRS Institute(s)

Scientific topics

CNRS Images,

Our work is guided by the way scientists question the world around them and we translate their research into images to help people to understand the world better and to awaken their curiosity and wonderment.