Centre de nanosciences et de nanotechnologies (C2N)

Transfert d'un échantillon sous ultravide dans un bâti d'épitaxie par jets moléculaires (MBE : Molecular Beam Epitaxy). L'échantillon est désoxydé sous ultravide dans une première enceinte. Il est ensuite transféré dans la chambre de croissance pour l'élaboration de composés semiconducteurs III-V à partir de sources solides. Il peut également être observé par microscopie à effet tunnel sous ultravide (STM : Scanning Tunneling Microscopy) sans contamination à l'air. PlatefOrme Élaboration des…

Banc de test de fatigue mécanique et électrique de céramiques piézoélectriques. Cet équipement est employé au sein du laboratoire afin d'étudier la fiabilité à long terme de récupérateurs d'énergie vibratoire piézoélectriques, destinés aux stimulateurs cardiaques sans sonde de dernière génération (Collaboration C2N / Groupe LivaNova).

Vue du porte-échantillons et des capteurs de force d'un banc de fatigue de poutres en céramique piézoélectriques. Cet équipement est employé au sein du laboratoire afin d'étudier la fiabilité à long terme de récupérateurs d'énergie vibratoire piézoélectriques, destinés aux stimulateurs cardiaques sans sonde de dernière génération (Collaboration C2N / Groupe LivaNova).

Gros plan sur une poutre en céramique piézoélectrique montée sur un banc de fatigue. Cet équipement est employé au sein du laboratoire afin d'étudier la fiabilité à long terme de récupérateurs d'énergie vibratoire piézoélectriques, destinés aux stimulateurs cardiaques sans sonde de dernière génération (Collaboration C2N / Groupe LivaNova).

Gros plan sur une poutre en céramique piézoélectrique montée sur un banc de fatigue. Cet équipement est employé au sein du laboratoire afin d'étudier la fiabilité à long terme de récupérateurs d'énergie vibratoire piézoélectriques, destinés aux stimulateurs cardiaques sans sonde de dernière génération (Collaboration C2N / Groupe LivaNova).

Expérience d'optique intégrée dans le moyen infrarouge pour des composants photoniques silicium. L'objectif de cette expérience est de réaliser des test de composants et circuits pour développer des capteurs intégrés.

Expérience d'optique intégrée dans le moyen infrarouge pour des composants photoniques silicium. L'objectif de cette expérience est de réaliser des test de composants et circuits pour développer des capteurs intégrés.

Échantillon comportant des guides d'onde en spirale en silicium-germanium (SiGe) à forte concentration de germanium, pour des applications dans le moyen infrarouge. L'objectif de cette expérience est de réaliser des test de composants et circuits pour développer des capteurs intégrés.

Expérience d'optique intégrée dans le moyen infrarouge pour des composants photoniques silicium. L'objectif de cette expérience est de réaliser des test de composants et circuits pour développer des capteurs intégrés.

Expérience d'optoélectronique intégrée pour des composants photoniques silicium aux longueurs d'onde datacom et télécom.

Expérience d'optoélectronique intégrée pour des composants photoniques silicium aux longueurs d'onde datacom et télécom.

Puce microfluidique de taille millimétrique comprenant un microrobot mobile (micronageur). Ce microrobot a été développé pour participer au concours international de microrobotique mobile à Singapour en 2017, qu'il a remporté. L'objectif de ce système est de manipuler et détecter des objets physiques, notamment des cellules biologiques, à l'intérieur d'un environnement microfluidique contrôlé.

Un nageur microrobotique sur puce microfluidique est introduit dans une configuration électromagnétique. Il permettra de propulser des microrobots par champ magnétique tournant en trois axes. Ce microrobot a été développé pour participer au concours international de microrobotique mobile à Singapour en 2017, qu'il a remporté. L'objectif de ce système est de manipuler et détecter des objets physiques, notamment des cellules biologiques, à l'intérieur d'un environnement microfluidique contrôlé.

Un nageur microrobotique sur puce microfluidique est introduit dans une configuration électromagnétique. Il permettra de propulser des microrobots par champ magnétique tournant en trois axes. Ce microrobot a été développé pour participer au concours international de microrobotique mobile à Singapour en 2017, qu'il a remporté. L'objectif de ce système est de manipuler et détecter des objets physiques, notamment des cellules biologiques, à l'intérieur d'un environnement microfluidique contrôlé.

Un nageur microrobotique sur puce microfluidique est introduit dans une configuration électromagnétique. Il permettra de propulser des microrobots par champ magnétique tournant en trois axes. Ce microrobot a été développé pour participer au concours international de microrobotique mobile à Singapour en 2017, qu'il a remporté. L'objectif de ce système est de manipuler et détecter des objets physiques, notamment des cellules biologiques, à l'intérieur d'un environnement microfluidique contrôlé.

Un nageur microrobotique sur puce microfluidique est introduit dans une configuration électromagnétique. Il permettra de propulser des microrobots par champ magnétique tournant en trois axes. Ce microrobot a été développé pour participer au concours international de microrobotique mobile à Singapour en 2017, qu'il a remporté. L'objectif de ce système est de manipuler et détecter des objets physiques, notamment des cellules biologiques, à l'intérieur d'un environnement microfluidique contrôlé.

Interface utilisateur haptique permettant de donner une rétroaction de force à l'utilisateur pendant le fonctionnement d'un nageur microrobotique sur puce microfluidique. Ce microrobot a été développé pour participer au concours international de microrobotique mobile à Singapour en 2017, qu'il a remporté. L'objectif de ce système est de manipuler et détecter des objets physiques, notamment des cellules biologiques, à l'intérieur d'un environnement microfluidique contrôlé.

Interface utilisateur haptique permettant de donner une rétroaction de force à l'utilisateur pendant le fonctionnement d'un nageur microrobotique sur puce microfluidique. Ce microrobot a été développé pour participer au concours international de microrobotique mobile à Singapour en 2017, qu'il a remporté. L'objectif de ce système est de manipuler et détecter des objets physiques, notamment des cellules biologiques, à l'intérieur d'un environnement microfluidique contrôlé.

Transfert d'un échantillon sous ultravide dans un bâti d'épitaxie par jets moléculaires (MBE : Molecular Beam Epitaxy). L'échantillon est désoxydé sous ultravide dans une première enceinte. Il est ensuite transféré dans la chambre de croissance pour l'élaboration de composés semiconducteurs III-V à partir de sources solides. Il peut également être observé par microscopie à effet tunnel sous ultravide (STM : Scanning Tunneling Microscopy) sans contamination à l'air. PlatefOrme Élaboration des…

Bâti d'épitaxie par jets moléculaires (MBE: Molecular Beam Epitaxy). Cette technique permet de réaliser sous ultravide des couches minces épitaxiées sur des monocristaux. Cet équipement est constitué de plusieurs enceintes ultravides et d'une chambre de croissance pour laquelle le pompage a été particulièrement soigné. Il est dédié à l'élaboration d'hétérostructures à base de semiconducteurs III-V avec des propriétés électroniques performantes en termes de densité et de mobilité électronique…

Bâti d'épitaxie par jets moléculaires (MBE: Molecular Beam Epitaxy). Cette technique permet de réaliser sous ultravide des couches minces épitaxiées sur des monocristaux. Cet équipement est constitué de plusieurs enceintes ultravides et d'une chambre de croissance pour laquelle le pompage a été particulièrement soigné. Il est dédié à l'élaboration d'hétérostructures à base de semiconducteurs III-V avec des propriétés électroniques performantes en termes de densité et de mobilité électronique…

Transfert d'un échantillon depuis un bâti d'épitaxie par jets moléculaires (MBE : Molecular Beam epitaxy) vers un microscope à effet tunnel (STM : Scanning Tunneling Microscopy) pour étudier les conditions de croissance après transfert sous ultravide. L'épitaxie par jets moléculaires permet de réaliser des couches minces épitaxiées sur des monocristaux. Ce réacteur est équipé de huit sources de matériaux élémentaires (gallium, aluminium, indium, arsenic, silicium, carbone) et d'un ensemble de…

Transfert d'un échantillon depuis un bâti d'épitaxie par jets moléculaires (MBE : Molecular Beam epitaxy) vers un microscope à effet tunnel (STM : Scanning Tunneling Microscopy) pour étudier les conditions de croissance après transfert sous ultravide. L'épitaxie par jets moléculaires permet de réaliser des couches minces épitaxiées sur des monocristaux. Ce réacteur est équipé de huit sources de matériaux élémentaires (gallium, aluminium, indium, arsenic, silicium, carbone) et d'un ensemble de…

Microscope à champ proche sous ultravide (STM : Scanning Tunneling Microscopy et AFM : Atomic Force Microscopy). Cet instrument est couplé à un bâti d'épitaxie par jets moléculaires pour étudier les conditions de croissance après transfert sous ultravide. L'épitaxie par jets moléculaires permet de réaliser des couches minces épitaxiées sur des monocristaux. Ce réacteur est équipé de huit sources de matériaux élémentaires (gallium, aluminium, indium, arsenic, silicium, carbone) et d'un ensemble…

Transfert d'un échantillon depuis un bâti d'épitaxie par jets moléculaires (MBE : Molecular Beam epitaxy) vers un microscope à effet tunnel (STM : Scanning Tunneling Microscopy) pour étudier les conditions de croissance après transfert sous ultravide. L'épitaxie par jets moléculaires permet de réaliser des couches minces épitaxiées sur des monocristaux. Ce réacteur est équipé de huit sources de matériaux élémentaires (gallium, aluminium, indium, arsenic, silicium, carbone) et d'un ensemble de…

Transfert d'un échantillon dans un bâti d'épitaxie par jets moléculaires assistée par plasma (PA-MBE : Plasma-assisted molecular beam epitaxy). La technique d'épitaxie par jets moléculaires permet de réaliser des couches minces et des nanostructures épitaxiées sur des substrats monocristallins. Ce réacteur est dédié à l'élaboration de Nanofils III-Nitrures. PlatefOrme Élaboration des Matériaux (POEM) du C2N.

Bâti d'épitaxie par jets moléculaires assistée par plasma (PA-MBE : Plasma-assisted molecular beam epitaxy) dédié à l'élaboration de nanofils III-Nitrures. La technique d'épitaxie par jets moléculaires permet de réaliser des couches minces et des nanostructures épitaxiées sur des substrats monocristallins. PlatefOrme Élaboration des Matériaux (POEM) du C2N.

Bâti d'épitaxie par jets moléculaires assistée par plasma (PA-MBE : Plasma-assisted molecular beam epitaxy) dédié à l'élaboration de nanofils III-Nitrures. La technique d'épitaxie par jets moléculaires permet de réaliser des couches minces et des nanostructures épitaxiées sur des substrats monocristallins. PlatefOrme Élaboration des Matériaux (POEM) du C2N.

Bâti d'épitaxie par jets moléculaires assistée par plasma (PA-MBE : Plasma-assisted molecular beam epitaxy) dédié à l'élaboration de nanofils III-Nitrures. La technique d'épitaxie par jets moléculaires permet de réaliser des couches minces et des nanostructures épitaxiées sur des substrats monocristallins. PlatefOrme Élaboration des Matériaux (POEM) du C2N.

Poste de contrôle d’un bâti d’épitaxie par jets moléculaires assisté par plasma, dédié à la croissance de Nanofils III-nitrures. PlatefOrme Élaboration des Matériaux (POEM) du C2N.

Substrat métallique (wafer de 4 pouces) utilisé pour la croissance de nouveaux matériaux 2D par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD). Il sera inséré dans le bâti pour la croissance de graphène. L'objectif est de réaliser des matériaux pour des applications dans le domaine de la nanoélectronique, la photonique, la détection, la microfluidique, l’électrochimie, la nanofabrication (MEMS, NEMS). PlatefOrme Élaboration des Matériaux (POEM) du C2N.

Substrat métallique (wafer de 4 pouces) utilisé pour la croissance de nouveaux matériaux 2D par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD). Il sera inséré dans le bâti pour la croissance de graphène. L'objectif est de réaliser des matériaux pour des applications dans le domaine de la nanoélectronique, la photonique, la détection, la microfluidique, l’électrochimie, la nanofabrication (MEMS, NEMS). PlatefOrme Élaboration des Matériaux (POEM) du C2N.

Substrat métallique (wafer de 4 pouces) utilisé pour la croissance de nouveaux matériaux 2D par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD). Il sera inséré dans le bâti pour la croissance de graphène. L'objectif est de réaliser des matériaux pour des applications dans le domaine de la nanoélectronique, la photonique, la détection, la microfluidique, l’électrochimie, la nanofabrication (MEMS, NEMS). PlatefOrme Élaboration des Matériaux (POEM) du C2N.

Croissance de graphène sur un substrat métallique, à 1050 °C, par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD). L'objectif est de réaliser des matériaux pour des applications dans le domaine de la nanoélectronique, la photonique, la détection, la microfluidique, l’électrochimie, la nanofabrication (MEMS, NEMS). PlatefOrme Élaboration des Matériaux (POEM) du C2N.

Spectroscopie Raman d'une couche mince de graphène (532 nm) réalisée par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD). L'objectif est de réaliser des matériaux pour des applications dans le domaine de la nanoélectronique, la photonique, la détection, la microfluidique, l’électrochimie, la nanofabrication (MEMS, NEMS) PlatefOrme Élaboration des Matériaux (POEM) du C2N.

Couche mince de graphène (532 nm) observée en spectroscopie raman couplée à un microscope confocal. Cet échantillon a été réalisé par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD). L'objectif est de réaliser des matériaux pour des applications dans le domaine de la nanoélectronique, la photonique, la détection, la microfluidique, l’électrochimie, la nanofabrication (MEMS, NEMS). PlatefOrme Élaboration des Matériaux (POEM) du C2N.

Couche mince de graphène (532 nm) observée en spectroscopie raman couplée à un microscope confocal. Cet échantillon a été réalisé par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD). L'objectif est de réaliser des matériaux pour des applications dans le domaine de la nanoélectronique, la photonique, la détection, la microfluidique, l’électrochimie, la nanofabrication (MEMS, NEMS). PlatefOrme Élaboration des Matériaux (POEM) du C2N.

Couche mince de graphène (532 nm) observée en spectroscopie raman couplée à un microscope confocal. Cet échantillon a été réalisé par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD). L'objectif est de réaliser des matériaux pour des applications dans le domaine de la nanoélectronique, la photonique, la détection, la microfluidique, l’électrochimie, la nanofabrication (MEMS, NEMS). PlatefOrme Élaboration des Matériaux (POEM) du C2N.

Couche mince de graphène (532 nm) observée en spectroscopie raman couplée à un microscope confocal. Cet échantillon a été réalisé par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD). L'objectif est de réaliser des matériaux pour des applications dans le domaine de la nanoélectronique, la photonique, la détection, la microfluidique, l’électrochimie, la nanofabrication (MEMS, NEMS). PlatefOrme Élaboration des Matériaux (POEM) du C2N.

Couche mince de graphène (532 nm) observée en spectroscopie raman couplée à un microscope confocal. Cet échantillon a été réalisé par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD). L'objectif est de réaliser des matériaux pour des applications dans le domaine de la nanoélectronique, la photonique, la détection, la microfluidique, l’électrochimie, la nanofabrication (MEMS, NEMS). PlatefOrme Élaboration des Matériaux (POEM) du C2N.

Équipement de cathodoluminescence résolue en temps. Un faisceau d’électrons est utilisé pour exciter un matériau avec une résolution de quelques nanomètres. La lumière émise par la désexcitation des porteurs de charges peut être analysée spectralement et temporellement. Cette expérience permet notamment d’explorer les propriétés de matériaux semiconducteurs utilisés dans les dispositifs optoélectroniques, en particulier les cellules solaires, les sources LED, les lasers.

Installation d’un échantillon dans un équipement de cathodoluminescence résolue en temps. Un faisceau d’électrons est utilisé pour exciter un matériau avec une résolution de quelques nanomètres. La lumière émise par la désexcitation des porteurs de charges peut être analysée spectralement et temporellement. Cette expérience permet notamment d’explorer les propriétés de matériaux semiconducteurs utilisés dans les dispositifs optoélectroniques, en particulier les cellules solaires, les sources…

Installation d’un échantillon dans un équipement de cathodoluminescence résolue en temps. Un faisceau d’électrons est utilisé pour exciter un matériau avec une résolution de quelques nanomètres. La lumière émise par la désexcitation des porteurs de charges peut être analysée spectralement et temporellement. Cette expérience permet notamment d’explorer les propriétés de matériaux semiconducteurs utilisés dans les dispositifs optoélectroniques, en particulier les cellules solaires, les sources…

Installation d’un échantillon dans un équipement de cathodoluminescence résolue en temps. Un faisceau d’électrons est utilisé pour exciter un matériau avec une résolution de quelques nanomètres. La lumière émise par la désexcitation des porteurs de charges peut être analysée spectralement et temporellement. Cette expérience permet notamment d’explorer les propriétés de matériaux semiconducteurs utilisés dans les dispositifs optoélectroniques, en particulier les cellules solaires, les sources…

Installation d’un échantillon dans un équipement de cathodoluminescence résolue en temps. Un faisceau d’électrons est utilisé pour exciter un matériau avec une résolution de quelques nanomètres. La lumière émise par la désexcitation des porteurs de charges peut être analysée spectralement et temporellement. Cette expérience permet notamment d’explorer les propriétés de matériaux semiconducteurs utilisés dans les dispositifs optoélectroniques, en particulier les cellules solaires, les sources…

Installation d’un échantillon dans un équipement de cathodoluminescence résolue en temps. Un faisceau d’électrons est utilisé pour exciter un matériau avec une résolution de quelques nanomètres. La lumière émise par la désexcitation des porteurs de charges peut être analysée spectralement et temporellement. Cette expérience permet notamment d’explorer les propriétés de matériaux semiconducteurs utilisés dans les dispositifs optoélectroniques, en particulier les cellules solaires, les sources…

Équipement de cathodoluminescence résolue en temps. Un faisceau d’électrons est utilisé pour exciter un matériau avec une résolution de quelques nanomètres. La lumière émise par la désexcitation des porteurs de charges peut être analysée spectralement et temporellement. Cette expérience permet notamment d’explorer les propriétés de matériaux semiconducteurs utilisés dans les dispositifs optoélectroniques, en particulier les cellules solaires, les sources LED, les lasers.

Installation d’un échantillon contenant des cellules photovoltaïques en arséniure de gallium (GaAs), sur un banc de mesure optoélectronique pour la caractérisation de cellules photovoltaïques. La versatilité de cette expérience est grande car elle permet des mesures de réflexion, de transmission, d'absorption, des mesures de courant-tension dans le noir et sous un soleil, ainsi que des mesures de rendement quantique externe d’une grande résolution spectrale.

Installation d’un échantillon contenant des cellules photovoltaïques en arséniure de gallium (GaAs), sur un banc de mesure optoélectronique pour la caractérisation de cellules photovoltaïques. La versatilité de cette expérience est grande car elle permet des mesures de réflexion, de transmission, d'absorption, des mesures de courant-tension dans le noir et sous un soleil, ainsi que des mesures de rendement quantique externe d’une grande résolution spectrale.

Installation d’un échantillon contenant des cellules photovoltaïques en arséniure de gallium (GaAs), sur un banc de mesure optoélectronique pour la caractérisation de cellules photovoltaïques. La versatilité de cette expérience est grande car elle permet des mesures de réflexion, de transmission, d'absorption, des mesures de courant-tension dans le noir et sous un soleil, ainsi que des mesures de rendement quantique externe d’une grande résolution spectrale.

Mise au point d'un microscope optique sur un banc de mesure optoélectronique pour la caractérisation de cellules photovoltaïques en arséniure de gallium (GaAs). La versatilité de cette expérience est grande car elle permet des mesures de réflexion, de transmission, d'absorption, des mesures de courant-tension dans le noir et sous un soleil, ainsi que des mesures de rendement quantique externe d’une grande résolution spectrale.

Sélection d'une cellule photovoltaïque en arséniure de gallium (GaAs) à mesurer. Elle est placée sur un banc de mesure optoélectronique pour sa caractérisation. La versatilité de cette expérience est grande car elle permet des mesures de réflexion, de transmission, d'absorption, des mesures de courant-tension dans le noir et sous un soleil, ainsi que des mesures de rendement quantique externe d’une grande résolution spectrale.

Pose des sondes de mesures électriques, au sein d'un banc de mesure optoélectronique permettant la caractérisation de cellules photovoltaïques en arséniure de gallium (GaAs). La versatilité de cette expérience est grande car elle permet des mesures de réflexion, de transmission, d'absorption, des mesures de courant-tension dans le noir et sous un soleil, ainsi que des mesures de rendement quantique externe d’une grande résolution spectrale.

Pose des sondes de mesures électriques, assistée par un microscope optique, au sein d'un banc de mesure optoélectronique. Ce banc permet la caractérisation de cellules photovoltaïques en arséniure de gallium (GaAs). La versatilité de cette expérience est grande car elle permet des mesures de réflexion, de transmission, d'absorption, des mesures de courant-tension dans le noir et sous un soleil, ainsi que des mesures de rendement quantique externe d’une grande résolution spectrale.

Mesure du rendement quantique externe d'une cellule photovoltaïque en arséniure de gallium (GaAs). Ce banc de mesure optoélectronique permet la caractérisation de cellules photovoltaïques en arséniure de gallium (GaAs). La versatilité de cette expérience est grande car elle permet des mesures de réflexion, de transmission, d'absorption, des mesures de courant-tension dans le noir et sous un soleil, ainsi que des mesures de rendement quantique externe d’une grande résolution spectrale.

Mise en place d'un échantillon au sein d'un banc de mesure optoélectronique pour la caractérisation de cellules photovoltaïques en arséniure de gallium (GaAs). La versatilité de cette expérience est grande car elle permet des mesures de réflexion, de transmission, d'absorption, des mesures de courant-tension dans le noir et sous un soleil, ainsi que des mesures de rendement quantique externe d’une grande résolution spectrale.

Pose des sondes de mesures électriques, au sein d'un banc de mesure optoélectronique permettant la caractérisation de cellules photovoltaïques en arséniure de gallium (GaAs). La versatilité de cette expérience est grande car elle permet des mesures de réflexion, de transmission, d'absorption, des mesures de courant-tension dans le noir et sous un soleil, ainsi que des mesures de rendement quantique externe d’une grande résolution spectrale.

Pose des sondes de mesures électriques, au sein d'un banc de mesure optoélectronique permettant la caractérisation de cellules photovoltaïques en arséniure de gallium (GaAs). La versatilité de cette expérience est grande car elle permet des mesures de réflexion, de transmission, d'absorption, des mesures de courant-tension dans le noir et sous un soleil, ainsi que des mesures de rendement quantique externe d’une grande résolution spectrale.

Mesure de la caractéristique courant-tension d'une cellule photovoltaïque en arséniure de gallium (GaAs). Elle est placée au sein d'un banc de mesure optoélectronique permettant sa caractérisation. La versatilité de cette expérience est grande car elle permet des mesures de réflexion, de transmission, d'absorption, des mesures de courant-tension dans le noir et sous un soleil, ainsi que des mesures de rendement quantique externe d’une grande résolution spectrale.

Mesure de la caractéristique courant-tension d'une cellule photovoltaïque en arséniure de gallium (GaAs) sous un flux d’un soleil. Elle est placée au sein d'un banc de mesure optoélectronique permettant sa caractérisation. La versatilité de cette expérience est grande car elle permet des mesures de réflexion, de transmission, d'absorption, des mesures de courant-tension dans le noir et sous un soleil, ainsi que des mesures de rendement quantique externe d’une grande résolution spectrale.

Banc de spectrométrie angulaire pour l’analyse de la lumière réfléchie, transmise ou diffractée par un échantillon. La gamme spectrale couvre le visible et l’infrarouge de 400 nm à 16 µm grâce à l’utilisation d’un spectromètre à transformée de Fourier. Le montage goniométrique a une résolution angulaire de plus ou moins 0,5°. Il est utilisé pour la caractérisation de structures nanophotoniques (plasmonique, cristaux photoniques, métasurfaces,…) et de dispositifs photovoltaïques.

Installation d’un échantillon sur un banc de spectrométrie angulaire pour l’analyse de la lumière qu'il réfléchit, transmet ou diffracte. La gamme spectrale couvre le visible et l’infrarouge de 400 nm à 16 µm grâce à l’utilisation d’un spectromètre à transformée de Fourier. Le montage goniométrique a une résolution angulaire de plus ou moins 0,5 °C. Il est utilisé pour la caractérisation de structures nanophotoniques (plasmonique, cristaux photoniques, métasurfaces,…) et de dispositifs…

Système de détection d’un banc de spectrométrie angulaire pour l’analyse de la lumière réfléchie, transmise ou diffractée par un échantillon. La gamme spectrale couvre le visible et l’infrarouge de 400 nm à 16 µm grâce à l’utilisation d’un spectromètre à transformée de Fourier. Le montage goniométrique a une résolution angulaire de plus ou moins 0,5 °C. Il est utilisé pour la caractérisation de structures nanophotoniques (plasmonique, cristaux photoniques, métasurfaces,…) et de dispositifs…

Système de détection d’un banc de spectrométrie angulaire pour l’analyse de la lumière réfléchie, transmise ou diffractée par un échantillon. La gamme spectrale couvre le visible et l’infrarouge de 400 nm à 16 µm grâce à l’utilisation d’un spectromètre à transformée de Fourier. Le montage goniométrique a une résolution angulaire de plus ou moins 0,5 °C. Il est utilisé pour la caractérisation de structures nanophotoniques (plasmonique, cristaux photoniques, métasurfaces,…) et de dispositifs…

Puce microfluidique multi-électrodes fabriquée en verre / PDMS (Polydiméthylsiloxane). Elle est développée au Centre de nanosciences et de nanotechnologies (C2N) pour la quantification par voie électrochimique d’un microARN spécifique du cancer du foie (miR 122). Ces recherches sont réalisées en collaboration avec des experts dans les domaines de la synthèse et de la fonctionnalisation de nano-objets et de la biochimie analytique et diagnostique.

Puce microfluidique multi-électrodes fabriquée en verre / PDMS (Polydiméthylsiloxane). Elle est insérée dans un porte-échantillon en téflon équipé de pointes à ressort pour que le contact métallique puisse se réaliser entre les microélectrodes et le potentiostat via les quatre connexions (électrodes : travail, référence, contre-électrode et masse). Cette puce est développée au Centre de nanosciences et de nanotechnologies (C2N) pour la quantification par voie électrochimique d’un microARN…

Puce microfluidique multi-électrodes fabriquée en verre / PDMS (Polydiméthylsiloxane). Elle est insérée dans un porte-échantillon en téflon équipé de pointes à ressort pour que le contact métallique puisse se réaliser entre les microélectrodes et le potentiostat via les quatre connexions (électrodes : travail, référence, contre-électrode et masse). Cette puce est développée au Centre de nanosciences et de nanotechnologies (C2N) pour la quantification par voie électrochimique d’un microARN…

Capillaires connectés à une puce microfluidique multi-électrodes fabriquée en verre / PDMS (Polydiméthylsiloxane). Ils permettent de faire circuler l’échantillon biologique à doser dont le seuil de détection est infime (attomolaire). Cette puce est développée au Centre de nanosciences et de nanotechnologies (C2N) pour la quantification par voie électrochimique d’un microARN spécifique du cancer du foie (miR 122). Ces recherches sont réalisées en collaboration avec des experts dans les domaines…

Capillaires connectés à une puce microfluidique multi-électrodes fabriquée en verre / PDMS (Polydiméthylsiloxane). Ils permettent de faire circuler l’échantillon biologique à doser dont le seuil de détection est infime : attomolaire. Cette puce est développée au Centre de nanosciences et de nanotechnologies (C2N) pour la quantification par voie électrochimique d’un microARN spécifique du cancer du foie (miR 122). Ces recherches sont réalisées en collaboration avec des experts dans les domaines…

Formation à la microscopie électronique à balayage par la caractérisation d'un échantillon structuré en travaux pratiques au Centre de nanosciences et de nanotechnologies (C2N).

Formation à la microscopie électronique à balayage par la caractérisation d'un échantillon structuré en travaux pratiques au Centre de nanosciences et de nanotechnologies (C2N).

Séquence pédagogique de travaux pratiques près d'un bâti sous vide d'évaporation thermique, au Centre de nanosciences et de nanotechnologies (C2N).

Chercheurs collaborant au développement d’un procédé de microfabrication de microsystèmes électromécaniques (MEMS, MicroElectroMechanical Systems).

Étape finale de micro-fabrication en travaux pratiques : séchage d'un échantillon de silicium structuré.

Analyses spectroscopiques de la photoluminescence et de l'électroluminescence d'une diode électroluminescente à nanofils de nitrure de gallium-indium/nitrure de gallium (InGaN/GaN). L'analyse de la réponse spectrale de l'échantillon donne des informations sur sa structure et sa composition. La réalisation de ces diodes électroluminescentes à nanofils répondent à un double objectif : améliorer leur rendement et réaliser des dispositifs mécaniquement souples.

Chercheur optimisant la collection du signal en sortie d'un dispositif de pompage optique dans un système polaritonique inter-sous-bande. Les polaritons inter-sous-bande sont des quasi-particules issues du régime de couplage fort entre le mode optique résonant d'une micro-cavité et la transition électronique entre les états confinés de la bande de conduction d'un puits quantique à semi-conducteurs. Ces travaux se font dans la gamme spectrale du moyen infrarouge et visent des applications en…

Cryostat dans lequel un dispositif de pompage optique dans un système polaritonique inter-sous-bande est inséré et refroidi à une température cryogénique de 78 kelvins (-195 °C ). Les polaritons inter-sous-bande sont des quasi-particules issues du régime de couplage fort entre le mode optique résonant d'une micro-cavité et la transition électronique entre les états confinés de la bande de conduction d'un puits quantique à semi-conducteurs. Ces travaux se font dans la gamme spectrale du moyen…

Chercheurs alignant les différentes optiques servant à guider la lumière de pompe vers un système polaritonique. Il s'agit d'une expérience de pompage optique dans un système polaritonique inter-sous-bande. Les polaritons inter-sous-bande sont des quasi-particules issues du régime de couplage fort entre le mode optique résonant d'une micro-cavité et la transition électronique entre les états confinés de la bande de conduction d'un puits quantique à semi-conducteurs. Ces travaux se font dans la…

Différentes optiques servant à guider la lumière de pompe vers un dispositif polaritonique inséré dans un cryostat. La lumière émise par le dispositif étudié est envoyée dans l'orifice d'entrée d'un spectromètre à transformée de Fourier permettant son analyse spectrale. Il s'agit d'une expérience de pompage optique dans un système polaritonique inter-sous-bande. Les polaritons inter-sous-bande sont des quasi-particules issues du régime de couplage fort entre le mode optique résonant d'une micro…

Chercheur optimisant l'alignement des différentes optiques d'un dispositif de pompage optique dans un système polaritonique inter-sous-bande. Les polaritons inter-sous-bande sont des quasi-particules issues du régime de couplage fort entre le mode optique résonant d'une micro-cavité et la transition électronique entre les états confinés de la bande de conduction d'un puits quantique à semi-conducteurs. L'étude de ces systèmes vise à démontrer des effets de diffusion stimulée qui permettront par…

Cluster-tool d'épitaxie par faisceaux chimiques (CBE : Chemical Beam Epitaxy) de l'équipe HETERNA du Centre de nanosciences et de nanotechnologies (C2N). Cet équipement réalisé en interne permet la croissance des matériaux IV-IV et III-V sur des substrats (wafers) de 4 pouces et 8 pouces. Cette installation est composée de 4 différentes chambres : un sas d'introduction pouvant contenir 5 wafers (de 4" ou 8 ''), deux chambres de croissance CBE et une chambre utilisée pour les caractérisations in…

Cluster-tool d'épitaxie par faisceaux chimiques (CBE : Chemical Beam Epitaxy) de l'équipe HETERNA du Centre de nanosciences et de nanotechnologies (C2N). Cet équipement réalisé en interne permet la croissance des matériaux IV-IV et III-V sur des substrats (wafers) de 4 pouces et 8 pouces. Cette installation est composée de 4 différentes chambres : un sas d'introduction pouvant contenir 5 wafers (de 4" ou 8 ''), deux chambres de croissance CBE et une chambre utilisée pour les caractérisations in…

Chambre de caractérisation in situ du cluster-tool d'épitaxie par faisceaux chimiques (CBE : Chemical Beam Epitaxy) de l'équipe HETERNA du Centre de nanosciences et de nanotechnologies (C2N). Elle comprend un spectromètre électronique, un canon à électrons focalisé pour la microscopie électronique à balayage et la microscopie Auger, et une source de rayons X permettant de réaliser des mesures de spectroscopie de photoélectrons (XPS) résolue en angle. Le cluster-tool CBE est un équipement…

Cluster-tool d'épitaxie par faisceaux chimiques (CBE : Chemical Beam Epitaxy) de l'équipe HETERNA du Centre de nanosciences et de nanotechnologies (C2N). Cet équipement réalisé en interne permet la croissance des matériaux IV-IV et III-V sur des substrats (wafers) de 4 pouces et 8 pouces. Cette installation est composée de 4 différentes chambres : un sas d'introduction pouvant contenir 5 wafers (de 4" ou 8 ''), deux chambres de croissance CBE et une chambre utilisée pour les caractérisations in…

Cluster-tool d'épitaxie par faisceaux chimiques (CBE : Chemical Beam Epitaxy) de l'équipe HETERNA du Centre de nanosciences et de nanotechnologies (C2N). Cet équipement réalisé en interne permet la croissance des matériaux IV-IV et III-V sur des substrats (wafers) de 4 pouces et 8 pouces. Cette installation est composée de 4 différentes chambres : un sas d'introduction pouvant contenir 5 wafers (de 4" ou 8 ''), deux chambres de croissance CBE et une chambre utilisée pour les caractérisations in…

Cluster-tool d'épitaxie par faisceaux chimiques (CBE : Chemical Beam Epitaxy) de l'équipe HETERNA du Centre de nanosciences et de nanotechnologies (C2N). Cet équipement réalisé en interne permet la croissance des matériaux IV-IV et III-V sur des substrats (wafers) de 4 pouces et 8 pouces. Cette installation est composée de 4 différentes chambres : un sas d'introduction pouvant contenir 5 wafers (de 4" ou 8 ''), deux chambres de croissance CBE et une chambre utilisée pour les caractérisations in…

Cluster-tool d'épitaxie par faisceaux chimiques (CBE : Chemical Beam Epitaxy) de l'équipe HETERNA du Centre de nanosciences et de nanotechnologies (C2N). Cet équipement réalisé en interne permet la croissance des matériaux IV-IV et III-V sur des substrats (wafers) de 4 pouces et 8 pouces. Cette installation est composée de 4 différentes chambres : un sas d'introduction pouvant contenir 5 wafers (de 4" ou 8 ''), deux chambres de croissance CBE et une chambre utilisée pour les caractérisations in…

Chambre de caractérisation in situ du cluster-tool d'épitaxie par faisceaux chimiques (CBE : Chemical Beam Epitaxy) de l'équipe HETERNA du Centre de nanosciences et de nanotechnologies (C2N). Elle comprend un spectromètre électronique, un canon à électrons focalisé pour la microscopie électronique à balayage et la microscopie Auger, et une source de rayons X permettant de réaliser des mesures de spectroscopie de photoélectrons (XPS) résolue en angle. Le cluster-tool CBE est un équipement…

Chambre de caractérisation in situ du cluster-tool d'épitaxie par faisceaux chimiques (CBE : Chemical Beam Epitaxy) de l'équipe HETERNA du Centre de nanosciences et de nanotechnologies (C2N). Elle comprend un spectromètre électronique, un canon à électrons focalisé pour la microscopie électronique à balayage et la microscopie Auger, et une source de rayons X permettant de réaliser des mesures de spectroscopie de photoélectrons (XPS) résolue en angle. Le cluster-tool CBE est un équipement…

Intérieur de la chambre de croissance CBE (Chemical Beam Epitaxy : épitaxie par faisceaux chimiques) dédiée à la croissance des matériaux III-V par des précurseurs organométalliques. Elle est située dans le cluster-tool de l'équipe HETERNA du Centre de nanosciences et de nanotechnologies (C2N). C'est un équipement réalisé en interne pour la croissance des matériaux IV-IV et III-V sur des substrats (wafers) de 4 pouces et 8 pouces. PlatefOrme Élaboration des Matériaux (POEM) du C2N.

Étude des effets d'une transition de phase très rapide lors d'une interaction laser-surface. Le matériau de choix est le silicium (cristal parfait, applications potentielles) ainsi que le germanium et les alliages de la colonne IV. Le chercheur optimise le réglage optique pour homogénéiser l’énergie du faisceau laser à moins de 1% de variation d’énergie sur un spot de 2 mm x 2 mm. Cette étude est réalisée dans le cadre du dopage laser (GILD : Gaz immersion laser doping).

Étude des effets d'une transition de phase très rapide lors d'une interaction laser-surface. Le matériau de choix est le silicium (cristal parfait, applications potentielles) ainsi que le germanium et les alliages de la colonne IV. Le chercheur optimise le réglage optique pour homogénéiser l’énergie du faisceau laser à moins de 1% de variation d’énergie sur un spot de 2 mm x 2 mm.

Un wafer de 4’’ est introduit dans la chambre à ultravide (pression de travail de 10-9 mbar) et déplacé en 3 dimensions (x, y et z). Un échantillon est simplement posé sur ce support (pour, entre autres, éviter les contaminations pendant le dopage dues à la graisse à vide, résines collantes, etc.). Cette étude est réalisée dans le cadre du dopage laser (GILD : Gaz immersion laser doping).

Un wafer de 4’’ est introduit dans la chambre à ultravide (pression de travail de 10-9 mbar) et déplacé en 3 dimensions (x, y et z). Un échantillon est simplement posé sur ce support (pour, entre autres, éviter les contaminations pendant le dopage dues à la graisse à vide, résines collantes, etc.). Cette étude est réalisée dans le cadre du dopage laser (GILD : Gaz immersion laser doping).

Montage optique pour l’homogénéisation du faisceau laser : doublets de lentilles de grand diamètre pour la correction des aberrations et adaptées aux fortes puissances (200 millijoules émis en 25 nanosecondes) ; fly-eye homogeneizer pour obtenir moins d'1% de variation d’énergie sur un spot de 2 mm x 2 mm. Cette étude est réalisée dans le cadre du dopage laser (GILD : Gaz immersion laser doping).

Montage optique pour l’homogénéisation du faisceau laser : doublets de lentilles de grand diamètre pour la correction des aberrations et adaptées aux fortes puissances (200 millijoules émis en 25 nanosecondes) ; fly-eye homogeneizer pour obtenir moins d'1% de variation d’énergie sur un spot de 2 mm x 2 mm. Cette étude est réalisée dans le cadre du dopage laser (GILD : Gaz immersion laser doping).

Montage optique pour l’homogénéisation du faisceau laser : doublets de lentilles de grand diamètre pour la correction des aberrations et adaptées aux fortes puissances (200 millijoules émis en 25 nanosecondes) ; fly-eye homogeneizer pour obtenir moins d'1% de variation d’énergie sur un spot de 2 mm x 2 mm. Cette étude est réalisée dans le cadre du dopage laser (GILD : Gaz immersion laser doping).

Banc de test de fatigue mécanique et électrique de céramiques piézoélectriques. Cet équipement est employé au sein du laboratoire afin d'étudier la fiabilité à long terme de récupérateurs d'énergie vibratoire piézoélectriques, destinés aux stimulateurs cardiaques sans sonde de dernière génération (Collaboration C2N / Groupe LivaNova).