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20180004_0021
© Cyril FRESILLON / C2N / CNRS Photothèque

Bâti d'épitaxie par jets moléculaires

Référence

20180004_0021

Année de production

2017

Taille maximale

41.72 x 27.77 cm / 300 dpi

Légende

Bâti d'épitaxie par jets moléculaires (MBE: Molecular Beam Epitaxy). Cette technique permet de réaliser sous ultravide des couches minces épitaxiées sur des monocristaux. Cet équipement est constitué de plusieurs enceintes ultravides et d'une chambre de croissance pour laquelle le pompage a été particulièrement soigné. Il est dédié à l'élaboration d'hétérostructures à base de semiconducteurs III-V avec des propriétés électroniques performantes en termes de densité et de mobilité électronique. Les échantillons ainsi réalisés servent à élaborer des nanostructures ou dispositifs (transistors...) pour la physique mésoscopique et la photonique. PlatefOrme Élaboration des Matériaux (POEM) du C2N.

Institut(s)

Thématiques scientifiques

Issues du même reportage : Centre de nanosciences et de nanotechnologies (C2N)

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