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Référence
20180004_0091
Intérieur de la chambre de croissance CBE dédiée à la croissance des matériaux III-V
Intérieur de la chambre de croissance CBE (Chemical Beam Epitaxy : épitaxie par faisceaux chimiques) dédiée à la croissance des matériaux III-V par des précurseurs organométalliques. Elle est située dans le cluster-tool de l'équipe HETERNA du Centre de nanosciences et de nanotechnologies (C2N). C'est un équipement réalisé en interne pour la croissance des matériaux IV-IV et III-V sur des substrats (wafers) de 4 pouces et 8 pouces. PlatefOrme Élaboration des Matériaux (POEM) du C2N.
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