Retour au reportage Retour au reportage
20180004_0087

© Cyril FRESILLON / C2N / CNRS Images

Référence

20180004_0087

Cluster-tool d'épitaxie par faisceaux chimiques

Cluster-tool d'épitaxie par faisceaux chimiques (CBE : Chemical Beam Epitaxy) de l'équipe HETERNA du Centre de nanosciences et de nanotechnologies (C2N). Cet équipement réalisé en interne permet la croissance des matériaux IV-IV et III-V sur des substrats (wafers) de 4 pouces et 8 pouces. Cette installation est composée de 4 différentes chambres : un sas d'introduction pouvant contenir 5 wafers (de 4" ou 8 ''), deux chambres de croissance CBE et une chambre utilisée pour les caractérisations in situ. Une des chambres de croissance est réservée spécifiquement aux matériaux IV-IV et l'autre combine les matériaux IV-IV et les III-V. La chambre de caractérisation in situ comprend un spectromètre électronique, un canon à électrons focalisé pour la microscopie électronique à balayage et la microscopie Auger et une source de rayons X permettant de réaliser des mesures de spectroscopie de photoélectrons (XPS) résolue en angle. PlatefOrme Élaboration des Matériaux (POEM) du C2N.

Thématiques scientifiques

CNRS Images,

Nous mettons en images les recherches scientifiques pour contribuer à une meilleure compréhension du monde, éveiller la curiosité et susciter l'émerveillement de tous.