Transfert d'un échantillon dans un bâti d'épitaxie par jets moléculaires

Transfert d'un échantillon, un substrat de semiconducteur III-V (GaAs arséniure de gallium ou InP phosphure d'indium), dans un bâti d'épitaxie par jets moléculaires. Après son dégazage, l'échantillon est transféré dans la chambre de croissance. Cette chambre est munie de 11 sources de matériaux élémentaires (aluminium, gallium, indium, azote, phosphore, arsenic, antimoine, silicium, carbone) pour l'élaboration de composés semiconducteurs III-V et leur dopage. Les échantillons ainsi élaborés servent à réaliser des dispositifs pour l'électronique et la photonique.