Retour au reportage Retour au reportage
20120001_1126

© Cyril FRESILLON/CNRS Images

Référence

20120001_1126

Echantillon après une croissance épitaxiale de nanofils de GaAs (arséniure de gallium)

Echantillon après une croissance épitaxiale de nanofils de GaAs (arséniure de gallium). Contrairement à un substrat vierge réfléchissant (plaque circulaire), le morceau de substrat recouvert de nanofils (morceau triangulaire) apparaît noir : la lumière incidente est piégée dans le réseau de nanofils. Les réseaux de nanofils peuvent être utilisés pour réaliser des cellules photovoltaïques sur des supports à bas coût. Leur faible réflectance est très avantageuse du point de vue de cette application.

Institut(s)

Délégation(s)

Thématiques scientifiques

CNRS Images,

Nous mettons en images les recherches scientifiques pour contribuer à une meilleure compréhension du monde, éveiller la curiosité et susciter l'émerveillement de tous.