Année de production
2009
© Emmanuel PERRIN/CNRS Images
20090001_1225
Diode électroluminescente (DEL) blanche réalisée par épitaxie sous jets moléculaires. Les DELs ont des surfaces variables, sur cette photo on peut en dénombrer plusieurs centaines. La pointe permet d'injecter le courant dans le semi-conducteur via un contact métallique. Le courant électrique est converti en lumière au sein de la zone active constituée d'un empilement de couches d'InGaN (nitrure d'indium et de gallium) dont l'épaisseur n'est que de quelques nanomètres.
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2009
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