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Echantillon de semiconducteur III-V. Ce semiconducteur a été élaboré en déposant une succession de couches monoatomiques d'aluminium, de gallium et d'arsenic au-dessus d'un substrat en arséniure de gallium (Réf. Le journal du CNRS Mai 2000).
© Laurence MEDARD/CNRS Images
Echantillon de semiconducteur III-V. Ce semiconducteur a été élaboré en déposant une succession de c
Référence
20000001_1178
Année de production
2000
Taille maximale
30 x 20 cm / 300 dpi
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