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© Laurence MEDARD/CNRS Images

Echantillon de semiconducteur III-V. Ce semiconducteur a été élaboré en déposant une succession de c

Reference

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Production year

2000

Max. size

30 x 20 cm / 300 dpi

Caption

Echantillon de semiconducteur III-V. Ce semiconducteur a été élaboré en déposant une succession de couches monoatomiques d'aluminium, de gallium et d'arsenic au-dessus d'un substrat en arséniure de gallium (Réf. Le journal du CNRS Mai 2000).

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