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20120001_1123
© Cyril FRESILLON/CNRS Images

Transfert d'un échantillon dans un bâti d'épitaxie par jets moléculaires

Référence

20120001_1123

Année de production

2012

Taille maximale

24.11 x 36.31 cm / 300 dpi

Légende

Transfert d'un échantillon, un substrat de semiconducteur III-V (GaAs arséniure de gallium ou InP phosphure d'indium), dans un bâti d'épitaxie par jets moléculaires. Après son dégazage, l'échantillon est transféré dans la chambre de croissance. Cette chambre est munie de 11 sources de matériaux élémentaires (aluminium, gallium, indium, azote, phosphore, arsenic, antimoine, silicium, carbone) pour l'élaboration de composés semiconducteurs III-V et leur dopage. Les échantillons ainsi élaborés servent à réaliser des dispositifs pour l'électronique et la photonique.

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Thématiques scientifiques

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