Bâti de croissance de nanostructures semiconductrices III-V par épitaxie par jets moléculaires (EJM)

Bâti de croissance de nanostructures semiconductrices III-V par épitaxie par jets moléculaires (EJM) sous ultra-vide. Cette technique permet de déposer sur un substrat hôte de fine couches semiconductrices avec une précision de quelques plans atomiques (de l'ordre du nanomètre). Ce système permet d'épitaxier une grande diversité d'alliages à base d'arséniures, d'antimoniures, de phosphures avec de faibles concentrations d'azote sur substrat de GaAs (arséniure de gallium) ou InP (phosphure d'indium) pour la réalisation de nanostructures telles que des puits, des boîtes quantiques ou des nanocolonnes pour des études fondamentales (mécanismes de croissance) ou appliquées (composants opto-électroniques pour les télécommunications).