Production year
2005
© Jérôme CHATIN/CNRS Images
20050001_0338
Bâti de croissance de nanostructures semiconductrices III-V par épitaxie par jets moléculaires (EJM) sous ultra-vide. Cette technique permet de déposer sur un substrat hôte de fine couches semiconductrices avec une précision de quelques plans atomiques (de l'ordre du nanomètre). Ce système permet d'épitaxier une grande diversité d'alliages à base d'arséniures, d'antimoniures, de phosphures avec de faibles concentrations d'azote sur substrat de GaAs (arséniure de gallium) ou InP (phosphure d'indium) pour la réalisation de nanostructures telles que des puits, des boîtes quantiques ou des nanocolonnes pour des études fondamentales (mécanismes de croissance) ou appliquées (composants opto-électroniques pour les télécommunications).
The use of media visible on the CNRS Images Platform can be granted on request. Any reproduction or representation is forbidden without prior authorization from CNRS Images (except for resources under Creative Commons license).
No modification of an image may be made without the prior consent of CNRS Images.
No use of an image for advertising purposes or distribution to a third party may be made without the prior agreement of CNRS Images.
For more information, please consult our general conditions
2005
Our work is guided by the way scientists question the world around them and we translate their research into images to help people to understand the world better and to awaken their curiosity and wonderment.