
© Emmanuel PERRIN/CNRS Images
Ingénieur de recherche présentant une couche de 200 nm de nitrure d'aluminium sur substrat silicium
Reference
20090001_1222
Production year
2009
Max. size
36.31 x 24.11 cm / 300 dpi
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Ingénieur de recherche présentant une couche de 200 nm de nitrure d'aluminium sur substrat silicium 4 pouces réalisée dans un réacteur d'épitaxie en phase vapeur d'organo-métalliques (réacteur EPVOM en arrière plan). Sur l'écran : courbe de réflectométrie permettant le contrôle en temps réel de la morphologie de surface des échantillons en phase de croissance.