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20090001_1222
© Emmanuel PERRIN/CNRS Images

Ingénieur de recherche présentant une couche de 200 nm de nitrure d'aluminium sur substrat silicium

Référence

20090001_1222

Année de production

2009

Taille maximale

36.31 x 24.11 cm / 300 dpi
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Légende

Ingénieur de recherche présentant une couche de 200 nm de nitrure d'aluminium sur substrat silicium 4 pouces réalisée dans un réacteur d'épitaxie en phase vapeur d'organo-métalliques (réacteur EPVOM en arrière plan). Sur l'écran : courbe de réflectométrie permettant le contrôle en temps réel de la morphologie de surface des échantillons en phase de croissance.

Laboratoire(s)

UPR10 - Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications (CRHEA)Site du laboratoire

Institut(s)

INP

Délégation(s)

Côte d'Azur

Thématiques scientifiques

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