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Reference
20120001_1125
Réalisation d'une croissance par épitaxie par jets moléculaires
Réalisation d'une croissance par épitaxie par jets moléculaires. La chambre de croissance est pilotée par ordinateur. Elle permet d'élaborer des hétérostructures de semiconducteurs III-V. La palette d'alliages réalisables est particulièrement étendue sur cet équipement : nitrures, phosphures, arséniures et antimoniures d'éléments III. Les échantillons ainsi élaborés servent à réaliser des dispositifs pour l'électronique et la photonique.
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