Laboratoire de photonique et de nanostructures (LPN)

Mise en circulation de l'eau de refroidissement d'une cellule d'évaporation montée sur une chambre d'épitaxie par jets moléculaires. Cette chambre est munie de 11 sources de matériaux élémentaires (aluminium, gallium, indium, azote, phosphore, arsenic, antimoine, silicium, carbone) pour l'élaboration de composés semiconducteurs III-V et leur dopage. Les échantillons ainsi élaborés servent à réaliser des dispositifs pour l'électronique et la photonique.

Transfert d'un échantillon, un substrat de semiconducteur III-V (GaAs arséniure de gallium ou InP phosphure d'indium), dans un bâti d'épitaxie par jets moléculaires. Après son dégazage, l'échantillon est transféré dans la chambre de croissance. Cette chambre est munie de 11 sources de matériaux élémentaires (aluminium, gallium, indium, azote, phosphore, arsenic, antimoine, silicium, carbone) pour l'élaboration de composés semiconducteurs III-V et leur dopage. Les échantillons ainsi élaborés…

Transfert d'un échantillon, un substrat de semiconducteur III-V (GaAs arséniure de gallium ou InP phosphure d'indium), dans un bâti d'épitaxie par jets moléculaires. Après son dégazage, l'échantillon est transféré dans la chambre de croissance. Cette chambre est munie de 11 sources de matériaux élémentaires (aluminium, gallium, indium, azote, phosphore, arsenic, antimoine, silicium, carbone) pour l'élaboration de composés semiconducteurs III-V et leur dopage. Les échantillons ainsi élaborés…

Transfert d'un échantillon dans un bâti d'épitaxie par jets moléculaires. Un substrat de semiconducteur III-V (GaAs arséniure de gallium ou InP phosphure d'indium) est introduit dans le système via le sas, visible en bas à gauche. Après pompage du sas, l'opératrice transfère cet échantillon vers le module suivant. L'échantillon est alors chauffé sous vide afin de se débarrasser des gaz adsorbés à sa surface avant l'étape d'épitaxie. Les échantillons ainsi élaborés servent à réaliser des…

Montage d'un échantillon sur un porte-échantillon de microscope électronique en transmission. Une fine lame du matériau semiconducteur à analyser est fixée à l'extrémité du porte-échantillon. Dans le cas de nanomatériaux, il suffit de disperser ces objets, de quelques nanomètres à quelques dizaines de nanomètres d'épaisseur, sur un support transparent aux électrons (une fine membrane de carbone par exemple). Dans le microscope, deux axes de rotation permettront d'orienter les axes…

Réalisation d'une croissance par épitaxie par jets moléculaires. La chambre de croissance est pilotée par ordinateur. Elle permet d'élaborer des hétérostructures de semiconducteurs III-V. La palette d'alliages réalisables est particulièrement étendue sur cet équipement : nitrures, phosphures, arséniures et antimoniures d'éléments III. Les échantillons ainsi élaborés servent à réaliser des dispositifs pour l'électronique et la photonique.

Extrémité du porte-échantillon d'un microscope électronique en transmission. Une fine lame du matériau semiconducteur à analyser est fixée à l'extrémité du porte-échantillon. Dans le cas de nanomatériaux, il suffit de disperser ces objets, de quelques nanomètres à quelques dizaines de nanomètres d'épaisseur, sur un support transparent aux électrons (une fine membrane de carbone par exemple). Dans le microscope, deux axes de rotation permettront d'orienter les axes cristallographiques de l…

Analyse de nanomatériaux semiconducteurs par microscopie électronique en transmission. Des informations sur la structure cristalline, la morphologie et la composition chimique de ces nanomatériaux sont accessibles. Cette activité d'analyse est un support indispensable aux activités d'élaboration de matériaux au LPN.

Echantillon après une croissance épitaxiale de nanofils de GaAs (arséniure de gallium). Contrairement à un substrat vierge réfléchissant (plaque circulaire), le morceau de substrat recouvert de nanofils (morceau triangulaire) apparaît noir : la lumière incidente est piégée dans le réseau de nanofils. Les réseaux de nanofils peuvent être utilisés pour réaliser des cellules photovoltaïques sur des supports à bas coût. Leur faible réflectance est très avantageuse du point de vue de cette…

Introduction du porte-échantillon dans le sas de la colonne d'un microscope électronique en transmission. L'objectif est d'analyser des nanomatériaux semiconducteurs. Des informations sur la structure cristalline, la morphologie et la composition chimique de ces nanomatériaux sont alors accessibles. Cette activité d'analyse est un support indispensable aux activités d'élaboration de matériaux au LPN.