Caption
Vue au microscope électronique à balayage d'une surface dont des poutres monoencastrées de couches en semi-conducteur III-V précontraintes lors de la croissance épitaxiale relaxent dans des formes originales suite à leur libération par sous-gravure chimique sélective. Ces microstructures de semi-conducteur à base de phosphure d'indium (lnP) destinées à confiner la lumière, auraient dues former des "ponts" de 100 à 200 micromètres de longueur pour seulement 10 micromètres de largeur, mais par accident l'un des ancrages du pont a cédé et s'est enroulé sur lui-même. Collaboration d'équipes de recherche française et québécoise au sein du LIA-LN2 (Laboratoire International Associé en Nanotechnologies et Nanosystèmes).
