20100001_0696
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Laser à semi-conducteur pris au microscope électronique à balayage. C'est un laser membranaire en ar

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Laser à semi-conducteur pris au microscope électronique à balayage. C'est un laser membranaire en arséniure de gallium (GaAs) dont la cavité optique est définie par un cristal photonique. La membrane de 260 nm d'épaisseur contient 3 puits quantiques d'arséniure de gallium-indium (InGaAs) d'épaisseur 7 nm pour une émission laser à 980 nm. Le cristal photonique est obtenu par structuration de la membrane selon des trous de 140 nm de diamètre, arrangés périodiquement (période égale à 310 nm). L'absence de 3 rangées de trous constitue un défaut dans le cristal photonique, formant ainsi un guide optique où se confine la lumière. L'émission laser se fait "par la tranche" aux extrémités de ce guide. Les quatre trous visibles sur l'image (rectangles de 2,5 µm X 5 µm) de part et d'autre du cristal photonique ne jouent aucun rôle pour le fonctionnement du laser.

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