Croissance de graphène par dépôt chimique en phase vapeur sur carbure de silicium

Croissance de graphène dans un réacteur d'épitaxie sur carbure de silicium (SiC). Cette croissance est effectuée par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) au Centre de recherche sur l'hétéroépitaxie et ses applications (CRHEA). Les chercheurs ont démontré que les propriétés électroniques du graphène permettent de réaliser un étalon de résistance électrique très précis, pratique et compatible avec des dispositifs de refroidissement sans hélium. Avant cela, l'étalon de résistance électrique était réalisé par la mise en œuvre de l'effet Hall quantique dans des dispositifs semiconducteurs en arséniure de gallium. Cependant, ce matériau imposait l'utilisation de très basses températures et de forts champs magnétiques.