Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes du CNRS (LAAS-CNRS)

Mesures sous pointes de composants passifs (composant ne permettant pas d'augmenter la puissance d'un signal) intégrés sur silicium pour la conversion d'énergie. Ici les caractéristiques de condensateurs à forte densité sont mesurées directement en sortie de fabrication, sur la plaquette, avant la mise en boîtier des composants. L'objectif est de produire de nouvelles familles de convertisseurs de puissance miniaturisés avec tous les composants (transistors, condensateurs, bobines) sur le même…

Manipulations pour la mesure de bruit de phase à l'intérieur d'une cage de Faraday afin de limiter les perturbations électriques. Le bruit de phase permet de définir la qualité d'un oscillateur.

Banc de mesure sous pointes dédié aux microcommutateurs radiofréquence (RF) MEMS (Micro Electro Mechanical System) permettant notamment le cyclage automatique, c'est à dire la mise en fonction selon un cycle que l'on répète plusieurs fois dans le temps. Un analyseur de réseau vectoriel permet d'effectuer des mesures de paramètres S (paramètres de dispersion "Scattering parameters", traduisant le comportement d'un composant en hyperfréquences) entre 0,04 et 40 GHz. Température contrôlée de -60°C…

Mesure du rayonnement électromagnétique d'une carte électronique subissant une décharge électrostatique. L'objectif de la recherche est de développer des structures pour protéger les composants électroniques des décharges électrostatiques.

Station sous pointes dédiée à la caractérisation électrique statique de micro et nanosystèmes.

Banc de mesure de paramètres S (paramètres de dispersion "scattering parameters", traduisant le comportement d'un composant en hyperfréquences) pour des fréquences allant de 0,04GHz à 110 GHz. Ce banc peut également être utilisé pour appliquer très localement une pression par flux d'air en utilisant un "Pressure Probe Module".

Observation et inspection par vidéomicroscopie 3D rotative d'un composant mis en boîtier et de ses microsoudures.

Station sous pointes dédiée à la mesure électrique de très faible courant de micro et nanosystèmes. Les matériaux à forte résistivité comme par exemple les matériaux diélectriques peuvent être caractérisés.

Caractérisation électrique statique sous pointes de composants semi-conducteurs.

Mesures sous pointes de composants passifs (composant ne permettant pas d'augmenter la puissance d'un signal) intégrés sur silicium pour la conversion d'énergie. Ici les caractéristiques de condensateurs à forte densité sont mesurées directement en sortie de fabrication, sur la plaquette, avant la mise en boîtier des composants. L'objectif est de produire de nouvelles familles de convertisseurs de puissance miniaturisés avec tous les composants (transistors, condensateurs, bobines) sur le même…

Vue détaillée d'une mesure sous pointes en hyperfréquences. Au dessus du plateau de la station sous pointes où les échantillons à étudier sont déposés, on observe les deux sondes RF (radiofréquence) de couleur dorée fonctionnant jusqu'à 67 GHz, et la buse du PPM "Pressure Probe Module" (en gris) qui permet d'appliquer une pression par flux d'air.

Mesure d'une plaquette de silicium avec une sonde RF (radiofréquence).

Deux stations sous pointes pour la caractérisation électrique statique de micro et nanosystèmes. La température est contrôlée jusqu'à 300°C. Le but de la recherche est de mesurer la résistance électrique de ces systèmes dans une large gamme : du milliOhm au teraOhm.

Station sous pointes à l'intérieur d'une cage de Faraday (pour limiter les perturbations électriques) dédiée à la mesure de bruit basse fréquence.

Observation et inspection par vidéomicroscopie 3D rotative d'un composant mis en boîtier et de ses microsoudures.

Caractérisation électrique statique sous pointes de composants semi-conducteurs pour la mesure de résistance, de tension de seuil, de résistivité, etc.