L'url de cette page a bien été copiée dans votre presse-papier!
Référence
20120001_1814
Bâti de gravure de silicium DRIE (Deep reactive ion etching), permettant de faire de la gravure prof
Bâti de gravure de silicium DRIE (Deep reactive ion etching), permettant de faire de la gravure profonde, en salle blanche. Ici, un wafer est mis dans le sas de chargement.
L’utilisation des médias visibles sur la Plateforme CNRS Images peut être accordée sur demande. Toute reproduction ou représentation est interdite sans l'autorisation préalable de CNRS Images (sauf pour les ressources sous licence Creative Commons).
Aucune modification d'une image ne peut être effectuée sans l'accord préalable de CNRS Images.
Aucune utilisation à des fins publicitaires ou diffusion à un tiers d'une image ne peut être effectuée sans l'accord préalable de CNRS Images.
Nous mettons en images les recherches scientifiques pour contribuer à une meilleure compréhension du monde, éveiller la curiosité et susciter l'émerveillement de tous.
