Année de production
2009
© Emmanuel PERRIN/CNRS Images
Référence
20090001_1219
Bati d'épitaxie par jets moléculaires dédié à la croissance de nitrure de gallium (GaN). Contrôle du
Bati d'épitaxie par jets moléculaires dédié à la croissance de nitrure de gallium (GaN). Contrôle du positionnement de l'échantillon.
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