Année de production
2006
© Alexis CHEZIERE/CNRS Images
Référence
20060001_0293
Chargement d'une plaquette de semiconducteurs dans la chambre de croissance d'un réacteur d'épitaxie
Chargement d'une plaquette de semiconducteurs dans la chambre de croissance d'un réacteur d'épitaxie en phase vapeur. L'objectif est d'obtenir de nouveaux matériaux semiconducteurs pour la réalisation de sources laser qui émettent dans une gamme UV et pour les composants optoélectroniques dans la gamme de longueur d'onde UV.
Ajouter à ma sélection
Conditions d'utilisation
L’utilisation des médias visibles sur la Plateforme CNRS Images peut être accordée sur demande. Toute reproduction ou représentation est interdite sans l'autorisation préalable de CNRS Images (sauf pour les ressources sous licence Creative Commons).
Aucune modification d'une image ne peut être effectuée sans l'accord préalable de CNRS Images.
Aucune utilisation à des fins publicitaires ou diffusion à un tiers d'une image ne peut être effectuée sans l'accord préalable de CNRS Images.
Pour plus de précisions consulter Nos conditions générales
