Caption
Bati d'épitaxie par jets moléculaires dédié à la croissance de nitrure de gallium (GaN). Contrôle du positionnement de l'échantillon.
© Emmanuel PERRIN/CNRS Images
Bati d'épitaxie par jets moléculaires dédié à la croissance de nitrure de gallium (GaN). Contrôle du
Reference
20090001_1219
Production year
2009
Max. size
24.11 x 36.31 cm / 300 dpi
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