20090001_1219

© Emmanuel PERRIN/CNRS Images

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20090001_1219

Bati d'épitaxie par jets moléculaires dédié à la croissance de nitrure de gallium (GaN). Contrôle du

Bati d'épitaxie par jets moléculaires dédié à la croissance de nitrure de gallium (GaN). Contrôle du positionnement de l'échantillon.

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