Production year
2011
© Cyril FRESILLON/CNRS Images
20110001_0884
Bâti ultravide destiné à caractériser puis contrôler le greffage moléculaire sur silicium. Des molécules dérivées du benzène possédant des propriétés conductrices sont introduites dans le bâti et s'adsorbent sur la surface de silicium rendue très réactive par chauffage à très haute température (1 100°C). Le bâti est conçu pour maintenir une pression de l'ordre de 3x10 (exposant -10) torr. Il est notamment équipé d'un spectromètre infrarouge à transformée de Fourier, capable d'identifier la nature des molécules effectivement déposées sur l'échantillon. Le greffage moléculaire sur le silicium est une étape dans la recherche de nouveaux composants en électronique moléculaire.
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2011
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