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Référence
20120001_1813
Bâti de gravure de silicium DRIE (Deep reactive ion etching), permettant de faire de la gravure prof
Bâti de gravure de silicium DRIE (Deep reactive ion etching), permettant de faire de la gravure profonde, en salle blanche. Ici, un wafer est mis dans le sas de chargement.
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