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20120001_1813

© Cyril FRESILLON/CNRS Images

Référence

20120001_1813

Bâti de gravure de silicium DRIE (Deep reactive ion etching), permettant de faire de la gravure prof

Bâti de gravure de silicium DRIE (Deep reactive ion etching), permettant de faire de la gravure profonde, en salle blanche. Ici, un wafer est mis dans le sas de chargement.

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Issues du même reportage : L'Institut Franche-Comté électronique mécanique thermique et optique - sciences et technologie (FEMTO-ST)

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