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20120001_1813
© Cyril FRESILLON/CNRS Images

Bâti de gravure de silicium DRIE (Deep reactive ion etching), permettant de faire de la gravure prof

Référence

20120001_1813

Année de production

2012

Taille maximale

41.72 x 27.77 cm / 300 dpi

Légende

Bâti de gravure de silicium DRIE (Deep reactive ion etching), permettant de faire de la gravure profonde, en salle blanche. Ici, un wafer est mis dans le sas de chargement.

Institut(s)

Délégation(s)

Thématiques scientifiques

Issues du même reportage : L'Institut Franche-Comté électronique mécanique thermique et optique - sciences et technologie (FEMTO-ST)

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