Réacteur d'épitaxie par ablation laser pulsée. Le matériau à déposer est transféré d'une cible stoec

Réacteur d'épitaxie par ablation laser pulsée. Le matériau à déposer est transféré d'une cible stoechiométrique vers le substrat par vaporisation par un laser de puissance pulsé focalisé. Ce second réacteur possède la spécificité d'avoir un système de chauffage par laser de puissance continu qui permet d'atteindre des températures de croissance supérieures à 1 100°C quelque soit l'atmosphère de croissance. Ce réacteur permet des études fondamentales sur l'épitaxie des oxydes, matériaux pour l'électronique de spin, filtrage hyperfréquence agile à base d'oxydes ferroélectriques et supraconducteurs...