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Réacteur d'épitaxie par ablation laser pulsée. Le matériau à déposer est transféré d'une cible stoechiométrique vers le substrat par vaporisation par un laser de puissance pulsé focalisé. Ce second réacteur possède la spécificité d'avoir un système de chauffage par laser de puissance continu qui permet d'atteindre des températures de croissance supérieures à 1 100°C quelque soit l'atmosphère de croissance. Ce réacteur permet des études fondamentales sur l'épitaxie des oxydes, matériaux pour l…

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Réacteur d'épitaxie par ablation laser pulsée. Le matériau à déposer est transféré d'une cible stoec
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Réacteur d'épitaxie par ablation laser pulsée. Le matériau à déposer est transféré d'une cible stoechiométrique vers le substrat par vaporisation par un laser de puissance pulsé focalisé. Ce réacteur permet d'épitaxier des films et des hétérostructures à base d'oxydes supracondeur, magnétique ou isolant. Ce réacteur permet des études fondamentales sur l'épitaxie des oxydes, l'électronique de spin dans les structures tunnel et le filtrage hyperfréquence agile à base d'oxydes ferroélectriques et…

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Réacteur d'épitaxie par ablation laser pulsée. Le matériau à déposer est transféré d'une cible stoec
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"Arabidopsis thaliana" (Arabette des dames) transformée pour la surexpression de la protéine Arf1 (protéine impliquée dans le trafic endomembranaire ; 4 semaines de germination).T : témoin (non transformé ; les plantes transformées avec le vecteur vide présentent le même phénotype). "Arf n°5" : 60% des plantes transformées présentent un retard de développement similaire.

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"Arabidopsis thaliana" (Arabette des dames) transformée pour la surexpression de la protéine Arf1 (p

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