Production year
2004
© Nathalie MANSION/CNRS Images
Reference
20050001_0245
Réacteur d'épitaxie par ablation laser pulsée. Le matériau à déposer est transféré d'une cible stoec
Réacteur d'épitaxie par ablation laser pulsée. Le matériau à déposer est transféré d'une cible stoechiométrique vers le substrat par vaporisation par un laser de puissance pulsé focalisé. Ce second réacteur possède la spécificité d'avoir un système de chauffage par laser de puissance continu qui permet d'atteindre des températures de croissance supérieures à 1 100°C quelque soit l'atmosphère de croissance. Ce réacteur permet des études fondamentales sur l'épitaxie des oxydes, matériaux pour l'électronique de spin, filtrage hyperfréquence agile à base d'oxydes ferroélectriques et supraconducteurs...
Add to my selection
Terms of use
The use of media visible on the CNRS Images Platform can be granted on request. Any reproduction or representation is forbidden without prior authorization from CNRS Images (except for resources under Creative Commons license).
No modification of an image may be made without the prior consent of CNRS Images.
No use of an image for advertising purposes or distribution to a third party may be made without the prior agreement of CNRS Images.
For more information, please consult our general conditions
