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Institut des nanotechnologies de Lyon

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38 médias
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Dépôt de couches métalliques par pulvérisation cathodique sur des plaquettes de silicium dans un réacteur. Cette opération est l'une des étapes de transformation de ces plaquettes en cellules photovoltaïques. L'appareil utilisé permet de déposer jusqu'à quatre métaux différents. Des contacts métalliques sont ainsi réalisés sur les deux faces des cellules photovoltaïques.

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Dépôt de couches métalliques sur des cellules photovoltaïques
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Insertion d'une plaquette de silicium dans un appareil comportant un laser UV pour l'ablation de couches minces ou pour un recuit localisé. Cette opération permet un dopage localisé sur la face et / ou la face arrière de la plaquette de silicium. Elle fait partie des étapes permettant de la transformer en cellule photovoltaïque. Cette technique vise à améliorer le rendement des cellules photovoltaïques en silicium cristallin.

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Insertion d'une plaquette de silicium dans un appareil laser UV
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Mise en place d'échantillons de silicium pour le dépôt de couches minces d'alumine sur leur surface. Des triangles en quartz permettent de maintenir les échantillons et d'effectuer un dépôt double face. Ils seront ensuite insérés dans un réacteur de dépôt ALD (Atomic layer deposition). L'alumine permet de passiver la surface des cellules photovoltaïques en silicium cristallin, c'est-à-dire de ralentir sa vitesse de corrosion. Cette opération permet d'améliorer leur rendement de conversion.

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Mise en place d'échantillons de silicium
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Insertion d'une plaquette de silicium dans un appareil comportant un laser UV pour l'ablation de couches minces ou pour un recuit localisé. Cette opération permet un dopage localisé sur la face et / ou la face arrière de la plaquette de silicium. Elle fait partie des étapes permettant de la transformer en cellule photovoltaïque. Cette technique vise à améliorer le rendement des cellules photovoltaïques en silicium cristallin.

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Insertion d'une plaquette de silicium dans un appareil laser UV
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Insertion d'une plaquette de silicium dans un appareil comportant un laser UV pour l'ablation de couches minces ou pour un recuit localisé. Cette opération permet un dopage localisé sur la face et / ou la face arrière de la plaquette de silicium. Elle fait partie des étapes permettant de la transformer en cellule photovoltaïque. Cette technique vise à améliorer le rendement des cellules photovoltaïques en silicium cristallin.

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Insertion d'une plaquette de silicium dans un appareil laser UV
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Mise en place d'échantillons de silicium pour le dépôt de couches minces d'alumine sur leur surface. Des triangles en quartz permettent de maintenir les échantillons et d'effectuer un dépôt double face. Ils seront ensuite insérés dans un réacteur de dépôt ALD (Atomic layer deposition). L'alumine permet de passiver la surface des cellules photovoltaïques en silicium cristallin, c'est-à-dire de ralentir sa vitesse de corrosion. Cette opération permet d'améliorer leur rendement de conversion.

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Mise en place d'échantillons de silicium
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Insertion d'une plaquette de silicium dans un appareil comportant un laser UV pour l'ablation de couches minces ou pour un recuit localisé. Cette opération permet un dopage localisé sur la face et / ou la face arrière de la plaquette de silicium. Elle fait partie des étapes permettant de la transformer en cellule photovoltaïque. Cette technique vise à améliorer le rendement des cellules photovoltaïques en silicium cristallin.

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Insertion d'une plaquette de silicium dans un appareil laser UV
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Dépôt de couches métalliques par pulvérisation cathodique sur des plaquettes de silicium dans un réacteur. Cette opération est l'une des étapes de transformation de ces plaquettes en cellules photovoltaïques. L'appareil utilisé permet de déposer jusqu'à quatre métaux différents. Des contacts métalliques sont ainsi réalisés sur les deux faces des cellules photovoltaïques.

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Dépôt de couches métalliques sur des cellules photovoltaïques
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Introduction d'une plaquette de silicium dans un réacteur de dépôt assisté plasma (PECVD) de couches minces diélectriques. Une nacelle multi-électrodes en graphite permet de traiter 15 plaquettes de silicium en même temps. Du nitrure de silicium déposé sur ces plaquettes est utilisé comme couche anti-reflet et passivante. Cette opération est l'une des étapes de transformation de ces plaquettes en cellules photovoltaïques. L'objectif est d'améliorer le rendement des cellules photovoltaïques en…

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Introduction d'une plaquette de silicium dans un réacteur de dépôt assisté plasma
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Introduction d'une plaquette de silicium dans un réacteur de dépôt assisté plasma (PECVD) de couches minces diélectriques. Une nacelle multi-électrodes en graphite permet de traiter 15 plaquettes de silicium en même temps. Du nitrure de silicium déposé sur ces plaquettes est utilisé comme couche anti-reflet et passivante. Cette opération est l'une des étapes de transformation de ces plaquettes en cellules photovoltaïques. L'objectif est d'améliorer le rendement des cellules photovoltaïques en…

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Introduction d'une plaquette de silicium dans un réacteur de dépôt assisté plasma
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Introduction d'une plaquette de silicium dans un réacteur de dépôt assisté plasma (PECVD) de couches minces diélectriques. Une nacelle multi-électrodes en graphite permet de traiter 15 plaquettes de silicium en même temps. Du nitrure de silicium déposé sur ces plaquettes est utilisé comme couche anti-reflet et passivante. Cette opération est l'une des étapes de transformation de ces plaquettes en cellules photovoltaïques. L'objectif est d'améliorer le rendement des cellules photovoltaïques en…

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Introduction d'une plaquette de silicium dans un réacteur de dépôt assisté plasma
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Réacteur en quartz d'épitaxie en phase vapeur, utilisé pour la croissance de couche mince de silicium. Les chercheurs tentent ainsi d'améliorer les cellules photovoltaïques en silicium cristallin et de mettre au point des cellules en couches minces et ultra-minces de silicium monocristallin. Ils associent des concepts innovants à base de nanostructures et d'ingénierie photonique. Leur objectif est également d'atteindre de hauts rendements pour l'intégration monolithique à bas coût de certaines…

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Réacteur en quartz d'épitaxie
20150001_0547
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Simulateur solaire pour la caractérisation de cellules photovoltaïques. Les pointes permettent de mesurer le courant de court-circuit, la tension de circuit ouvert, la tension maximale et le courant maximal délivrés par la cellule sous un éclairement équivalent à celui du soleil. Ces paramètres permettent de calculer le rendement de conversion des cellules photovoltaïques.

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Simulateur solaire pour la caractérisation de cellules photovoltaïques
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Insertion d'échantillons de silicium dans un réacteur de dépôt ALD (Atomic layer deposition) pour le dépôt de couches minces d'alumine sur leur surface. L'alumine permet de passiver la surface des cellules photovoltaïques en silicium cristallin, c'est-à-dire de ralentir sa vitesse de corrosion. Cette opération permet d'améliorer leur rendement de conversion.

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Insertion d'échantillons de silicium dans un réacteur de dépôt ALD
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Simulateur solaire pour la caractérisation de cellules photovoltaïques. Les pointes permettent de mesurer le courant de court-circuit, la tension de circuit ouvert, la tension maximale et le courant maximal délivrés par la cellule sous un éclairement équivalent à celui du soleil. Ces paramètres permettent de calculer le rendement de conversion des cellules photovoltaïques.

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Simulateur solaire pour la caractérisation de cellules photovoltaïques
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Introduction d'une plaquette de silicium dans un réacteur de dépôt assisté plasma (PECVD) de couches minces diélectriques. Une nacelle multi-électrodes en graphite permet de traiter 15 plaquettes de silicium en même temps. Du nitrure de silicium déposé sur ces plaquettes est utilisé comme couche anti-reflet et passivante. Cette opération est l'une des étapes de transformation de ces plaquettes en cellules photovoltaïques. L'objectif est d'améliorer le rendement des cellules photovoltaïques en…

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Introduction d'une plaquette de silicium dans un réacteur de dépôt assisté plasma
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Réacteur en quartz d'épitaxie en phase vapeur, utilisé pour la croissance de couche mince de silicium. Les chercheurs tentent ainsi d'améliorer les cellules photovoltaïques en silicium cristallin et de mettre au point des cellules en couches minces et ultra-minces de silicium monocristallin. Ils associent des concepts innovants à base de nanostructures et d'ingénierie photonique. Leur objectif est également d'atteindre de hauts rendements pour l'intégration monolithique à bas coût de certaines…

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Réacteur en quartz d'épitaxie
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Dépôt de couches métalliques par pulvérisation cathodique sur des plaquettes de silicium dans un réacteur. Cette opération est l'une des étapes de transformation de ces plaquettes en cellules photovoltaïques. L'appareil utilisé permet de déposer jusqu'à quatre métaux différents. Des contacts métalliques sont ainsi réalisés sur les deux faces des cellules photovoltaïques.

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Dépôt de couches métalliques sur des cellules photovoltaïques
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Simulateur solaire pour la caractérisation de cellules photovoltaïques. Les pointes permettent de mesurer le courant de court-circuit, la tension de circuit ouvert, la tension maximale et le courant maximal délivrés par la cellule sous un éclairement équivalent à celui du soleil. Ces paramètres permettent de calculer le rendement de conversion des cellules photovoltaïques.

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Simulateur solaire pour la caractérisation de cellules photovoltaïques
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Open media modal

Réacteur en quartz d'épitaxie en phase vapeur, utilisé pour la croissance de couche mince de silicium. Les chercheurs tentent ainsi d'améliorer les cellules photovoltaïques en silicium cristallin et de mettre au point des cellules en couches minces et ultra-minces de silicium monocristallin. Ils associent des concepts innovants à base de nanostructures et d'ingénierie photonique. Leur objectif est également d'atteindre de hauts rendements pour l'intégration monolithique à bas coût de certaines…

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Réacteur en quartz d'épitaxie
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Open media modal

Insertion d'une plaquette de silicium dans un appareil comportant un laser UV pour l'ablation de couches minces ou pour un recuit localisé. Cette opération permet un dopage localisé sur la face et / ou la face arrière de la plaquette de silicium. Elle fait partie des étapes permettant de la transformer en cellule photovoltaïque. Cette technique vise à améliorer le rendement des cellules photovoltaïques en silicium cristallin.

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20150001_0531
Insertion d'une plaquette de silicium dans un appareil laser UV
20150001_0527
Open media modal

Mise en place d'échantillons de silicium, avant leur introduction dans un réacteur. Des couches métalliques seront ensuite déposées par pulvérisation cathodique sur ces couches minces de silicium. Cette opération est l'une des étapes de transformation de ces couches en cellules photovoltaïques. L'appareil utilisé permet de déposer jusqu'à quatre métaux différents. Des contacts métalliques sont ainsi réalisés sur les deux faces des cellules photovoltaïques.

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Mise en place d'échantillons de silicium dans un réacteur
20150001_0548
Open media modal

Simulateur solaire pour la caractérisation de cellules photovoltaïques. Les pointes permettent de mesurer le courant de court-circuit, la tension de circuit ouvert, la tension maximale et le courant maximal délivrés par la cellule sous un éclairement équivalent à celui du soleil. Ces paramètres permettent de calculer le rendement de conversion des cellules photovoltaïques.

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Simulateur solaire pour la caractérisation de cellules photovoltaïques
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Plaquette de silicium vue à travers le hublot rouge d'un appareil comportant un laser UV pour l'ablation de couches minces ou pour un recuit localisé. Cette opération permet un dopage localisé sur la face et / ou la face arrière de la plaquette de silicium. Elle fait partie des étapes permettant de la transformer en cellule photovoltaïque. Cette technique vise à améliorer le rendement des cellules photovoltaïques en silicium cristallin.

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Plaquette de silicium dans un appareil laser UV
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Bâti d'épitaxie en phase vapeur, utilisé pour la croissance de couche mince de silicium. Les chercheurs tentent ainsi d'améliorer les cellules photovoltaïques en silicium cristallin et de mettre au point des cellules en couches minces et ultra-minces de silicium monocristallin. Ils associent des concepts innovants à base de nanostructures et d'ingénierie photonique. Leur objectif est également d'atteindre de hauts rendements pour l'intégration monolithique à bas coût de certaines cellules…

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Bâti d'épitaxie en phase vapeur de couche mince de silicium
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Plaquette de silicium vue à travers le hublot rouge d'un appareil comportant un laser UV pour l'ablation de couches minces ou pour un recuit localisé. Cette opération permet un dopage localisé sur la face et / ou la face arrière de la plaquette de silicium. Elle fait partie des étapes permettant de la transformer en cellule photovoltaïque. Cette technique vise à améliorer le rendement des cellules photovoltaïques en silicium cristallin.

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Plaquette de silicium dans un appareil laser UV
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Mise en place d'échantillons de silicium, avant leur introduction dans un réacteur. Des couches métalliques seront ensuite déposées par pulvérisation cathodique sur ces couches minces de silicium. Cette opération est l'une des étapes de transformation de ces couches en cellules photovoltaïques. L'appareil utilisé permet de déposer jusqu'à quatre métaux différents. Des contacts métalliques sont ainsi réalisés sur les deux faces des cellules photovoltaïques.

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Mise en place d'échantillons de silicium dans un réacteur
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Insertion d'une plaquette de silicium dans un appareil comportant un laser UV pour l'ablation de couches minces ou pour un recuit localisé. Cette opération permet un dopage localisé sur la face et / ou la face arrière de la plaquette de silicium. Elle fait partie des étapes permettant de la transformer en cellule photovoltaïque. Cette technique vise à améliorer le rendement des cellules photovoltaïques en silicium cristallin.

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20150001_0533
Insertion d'une plaquette de silicium dans un appareil laser UV
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Bâti d'épitaxie en phase vapeur, utilisé pour la croissance de couche mince de silicium. Les chercheurs tentent ainsi d'améliorer les cellules photovoltaïques en silicium cristallin et de mettre au point des cellules en couches minces et ultra-minces de silicium monocristallin. Ils associent des concepts innovants à base de nanostructures et d'ingénierie photonique. Leur objectif est également d'atteindre de hauts rendements pour l'intégration monolithique à bas coût de certaines cellules…

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Bâti d'épitaxie en phase vapeur de couche mince de silicium
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Insertion d'échantillons de silicium dans un réacteur de dépôt ALD (Atomic layer deposition) pour le dépôt de couches minces d'alumine sur leur surface. L'alumine permet de passiver la surface des cellules photovoltaïques en silicium cristallin, c'est-à-dire de ralentir sa vitesse de corrosion. Cette opération permet d'améliorer leur rendement de conversion.

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Insertion d'échantillons de silicium dans un réacteur de dépôt ALD
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Open media modal

Exemple de motif, après l'ablation laser UV d'une plaquette de silicium. Cette opération permet un dopage localisé sur la face et / ou la face arrière de la plaquette de silicium. Elle fait partie des étapes permettant de la transformer en cellule photovoltaïque. Cette technique vise à améliorer le rendement des cellules photovoltaïques en silicium cristallin.

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Motif après l'ablation laser UV d'une plaquette de silicium
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Insertion d'échantillons de silicium dans un réacteur de dépôt ALD (Atomic layer deposition) pour le dépôt de couches minces d'alumine sur leur surface. L'alumine permet de passiver la surface des cellules photovoltaïques en silicium cristallin, c'est-à-dire de ralentir sa vitesse de corrosion. Cette opération permet d'améliorer leur rendement de conversion.

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Insertion d'échantillons de silicium dans un réacteur de dépôt ALD
20150001_0536
Open media modal

Exemple de motif, après l'ablation laser UV d'une plaquette de silicium. Cette opération permet un dopage localisé sur la face et / ou la face arrière de la plaquette de silicium. Elle fait partie des étapes permettant de la transformer en cellule photovoltaïque. Cette technique vise à améliorer le rendement des cellules photovoltaïques en silicium cristallin.

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20150001_0536
Motif après l'ablation laser UV d'une plaquette de silicium
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Open media modal

Introduction d'une plaquette de silicium dans un réacteur de dépôt assisté plasma (PECVD) de couches minces diélectriques. Une nacelle multi-électrodes en graphite permet de traiter 15 plaquettes de silicium en même temps. Du nitrure de silicium déposé sur ces plaquettes est utilisé comme couche anti-reflet et passivante. Cette opération est l'une des étapes de transformation de ces plaquettes en cellules photovoltaïques. L'objectif est d'améliorer le rendement des cellules photovoltaïques en…

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Introduction d'une plaquette de silicium dans un réacteur de dépôt assisté plasma

Thématiques scientifiques

CNRS Images,

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