Année de production
2012
© Cyril FRESILLON/CNRS Images
20120001_1701
Installation de couches minces d'oxyde de zinc dans une cellule de mesures électriques. La cellule sera ensuite insérée dans un appareil de mesure de l'effet Hall à haute température et haute impédance. L'objectif est de mesurer la résistivité, la concentration de porteurs de charge et leur mobilité. Les échantillons étudiés sont des semiconducteurs à grand gap (ou à large bande interdite) et des oxydes.
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2012
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