Trois bâtis ultravides destinés à caractériser puis contrôler le greffage moléculaire sur silicium d

Trois bâtis ultravides destinés à caractériser puis contrôler le greffage moléculaire sur silicium dans le cadre de recherches en électronique moléculaire. Des molécules dérivées du benzène, possédant des propriétés conductrices, sont introduites dans le bâti et s'adsorbent sur la surface de silicium rendue très réactive par chauffage à très haute température (1 100 °C). Le bâti de préparation (arrière plan) maintient un vide de l'ordre de 5x10 (exposant -11) torr. Le bâti au premier plan est notamment équipé d'un spectromètre infrarouge à transformée de Fourier capable d'identifier la nature des molécules effectivement déposées sur l'échantillon. En bas, on distingue une canne de transfert permettant de déplacer les échantillons de silicium d'un bâti à l'autre.