20050001_0333
© Jérôme CHATIN/CNRS Images

Bâti de croissance de nanostructures semiconductrices III-V par épitaxie par jets moléculaires (EJM)

Référence

20050001_0333

Année de production

2005

Taille maximale

25.47 x 16.59 cm / 300 dpi

Légende

Bâti de croissance de nanostructures semiconductrices III-V par épitaxie par jets moléculaires (EJM) sous ultra-vide. Cette technique permet de déposer sur un substrat hôte de fines couches semiconductrices avec une précision de quelques plans atomiques (de l'ordre du nanomètre). Ce système permet d'épitaxier une grande diversité d'alliages à base d'arséniures, d'antimoniures ou de phosphures sur substrat de GaAs (arséniure de gallium), InP (phosphure d'indium) ou GaSb (antimoniure de gallium) pour la réalisation de nanostructures telles que des puits ou des boîtes quantiques pour des études fondamentales (optique et transport quantiques) ou appliquées (composants opto-électroniques pour les télécommunications).

Institut(s)

Délégation(s)

Thématiques scientifiques

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