Semi-conducteurs en arséniure de gallium (GaAs) de 3 µm d'épaisseur sur fine couche (100 nm d'épaiss

Semi-conducteurs en arséniure de gallium (GaAs) de 3 µm d'épaisseur sur fine couche (100 nm d'épaisseur) de phosphure d'indium gallium (GaInP) partie violette. Les morceaux de GaAs seront récupérés et utilisés pour un "assemblage fluidique" original des microsystèmes dits MEMS (micro-electro-mechanical systems) développés au sein de l'IEMN. L'approche "assemblage" est l'opposée de l'approche "monolithique et planaire " actuelle qui est utilisée pour fabriquer les circuits intégrés. La technique permet de réaliser des sondes hybrides de type "injecteur de spin". Une application de ces sondes est, en collaboration avec le Laboratoire de physique de la matière condensée (PMC), l'imagerie des surfaces nanomagnétiques peu connue actuellement.