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20220104_0043
© Jean-Claude MOSCHETTI / IETR / CNRS Photothèque

Dispositifs en silicium micro-usiné par gravure profonde

Reference

20220104_0043

Production year

2022

Max. size

59.99 x 40 cm / 300 dpi

Caption

La gravure du silicium en voix sèche est généralement effectuée par la technique RIE (Reactive Ion Etching). Elle est adaptée pour graver des couches d’épaisseur submicronique. Lorsque l’objectif est de graver en profondeur le silicium de manière anisotropique (par exemple sur plusieurs microns voire même de traverser de part en part un wafer de silicium comme ici), une variante de ce procédé est utilisée, telle que le procédé "Bosch". Ce procédé alterne une phase de gravure du silicium par un plasma à base de fluor et une phase de dépôt (ou passivation) à base de chimie fluorocarbonée. L’expérimentateur tient dans sa pince un exemple de wafer de silicium usiné grâce à ce procédé fabrication. Une fois découpé, les morceaux de silicium seront assemblés avec une tolérance d’ajustement micrométrique dans le but de réaliser un radiomètre. Cette action a été menée par la centrale NanoRennes (Olivier De Sagazan) pour une prestation associant l’IETR (David Gonzales) et l’UC3M Madrid (Luis Enrique García Muñoz)

Référent(s) Scientifique(s)

CNRS Institute(s)

Regional office(s)

Scientific topics

CNRS Images,

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