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La gravure du silicium en voix sèche est généralement effectuée par la technique RIE (Reactive Ion Etching). Elle est adaptée pour graver des couches d’épaisseur submicronique. Lorsque l’objectif est de graver en profondeur le silicium de manière anisotropique (par exemple sur plusieurs microns voire même de traverser de part en part un wafer de silicium comme ici), une variante de ce procédé est utilisée, telle que le procédé "Bosch". Ce procédé alterne une phase de gravure du silicium par un…