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20220104_0041
© Jean-Claude MOSCHETTI / IETR / CNRS Photothèque

Transistors à effet de champ organiques réalisés par photolithographie

Reference

20220104_0041

Production year

2022

Max. size

59.99 x 40 cm / 300 dpi

Caption

Observation de l’état général d’un échantillon fabriqué par photolithographie. L'expérimentateur est vêtu d’une combinaison, de gants et d’un masque qui permettent d’éviter la pollution de l’échantillon par des poussières ou toutes autres particules qu'il pourrait véhiculer. L’échantillon est composé de 200 transistors à effet de champ organiques fabriqués sur un substrat de verre. Les transistors à effet de champ organiques sont constitués d’une couche d’aluminium d’épaisseur e=150nm en tant que grille, d’un isolant de grille à base d’époxy d’épaisseur e=450nm, d’électrodes en or d’épaisseur e=40nm et d’un semiconducteur organique de type N, le Fullerène C60, d’épaisseur e=20nm. Ces 200 transistors permettent d’étudier la reproductibilité et l’uniformité des paramètres électriques liés au semiconducteur étudié.

Référent(s) Scientifique(s)

CNRS Institute(s)

Regional office(s)

Scientific topics

CNRS Images,

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