20180009_0004

© Marc COUSINEAU/LAPLACE/CNRS Images

Reference

20180009_0004

Zoom d'un circuit Driver réalisé dans une technologie submicromètreique 50V

Zoom d'un circuit Driver réalisé dans une technologie submicromètreique (inférieure à un micromètre) 50V (laboratoire LAPLACE). Ce circuit est composé de deux transistors à effet de champ à grille isolée (MOSFET) complémentaires (à gauche). Il permet d’une part d’adapter les niveaux de tension pour piloter un transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) externe, et d’autre part de délivrer un courant suffisamment élevé (1 à 3 A) pour accélérer les commutations. Les électroniques (situé au centre et à droite de la figure) sont constituées de nombreux transistors plus petits, nécessaires pour le contrôle rapproché des deux transistors.

CNRS Institute(s)

Regional office(s)

Scientific topics

CNRS Images,

Our work is guided by the way scientists question the world around them and we translate their research into images to help people to understand the world better and to awaken their curiosity and wonderment.