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Carte électronique "démonstrateur" illustrant la mise en œuvre du principe de contrôle décentralisé pour la réalisation d’un convertisseur de tension électrique multiphasé DC/DC. Ici, chacune des cinq phases du convertisseur, recopiées à l’identique, comporte les éléments suivants : une inductance de phase, une cellule de commutation HEMT (High-electron-mobility transistor) en nitrure de gallium (GaN), un circuit Driver du commerce et un circuit de contrôle décentralisé conçu au laboratoire…

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Circuit intégré, prototype d'un démonstrateur de la commande décentralisée de convertisseurs multicellulaires. Il est composé de 6 modules de contrôle identiques, chacun conçu à base de transistors à effet de champ à grille isolée (MOSFET) et de capacités. Il permet de générer les signaux de commande nécessaires au fonctionnement d’un convertisseur multicellulaire moderne implémentant un grand nombre de cellules de découpage. Dans son principe, chaque module de contrôle communique avec ses…

Circuit intégré conçu au laboratoire LAPLACE, permettant de réaliser la commande d’un convertisseur de tension électrique DC/DC de quelques dizaines de kW (sa taille est de 2 x 2 mm²). Cette puce électronique analogique réalisée dans une technologie submicromètreique (inférieure à un micromètre) peut supporter des tensions de 50V. Elle est composée de quatre circuits Driver permettant de piloter des transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) externes, ainsi que d’un dispositif d’auto…

Zoom d'un circuit Driver réalisé dans une technologie submicromètreique (inférieure à un micromètre) 50V (laboratoire LAPLACE). Ce circuit est composé de deux transistors à effet de champ à grille isolée (MOSFET) complémentaires (à gauche). Il permet d’une part d’adapter les niveaux de tension pour piloter un transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) externe, et d’autre part de délivrer un courant suffisamment élevé (1 à 3 A) pour accélérer les commutations. Les électroniques (situé au centre…

Transistor à effet de champ à grille isolée (MOSFET) d’un circuit Driver réalisé dans une technologie submicromètreique (inférieure à un micromètre) 50V (laboratoire LAPLACE). Ce type de composant permet de commuter des courants élevés (1 à 3 A) à des vitesses inférieures à la nanoseconde dans le but de piloter un transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) nécessaire à la réalisation de convertisseurs statiques.

Circuit intégré réalisé dans une technologie submicromètreique (inférieure à un micromètre) CMOS (Complementary metal oxide semiconductor) implémentant des électroniques analogiques Large-bande, Basses-tensions (300MHz, 5V) (laboratoire LAPLACE). Des amplificateurs opérationnels, conçus à partir de transistors de petites tailles (0.35 x 1 µm² en pratique) et de capacités de faibles valeurs (0.5 à 3 pF, carrés jaunes sur la figure), s'y trouvent. Ils servent à amplifier une différence de…