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20180004_0022
© Cyril FRESILLON / C2N / CNRS Photothèque

Bâti d'épitaxie par jets moléculaires

Reference

20180004_0022

Production year

2017

Max. size

27.77 x 41.72 cm / 300 dpi

Caption

Bâti d'épitaxie par jets moléculaires (MBE: Molecular Beam Epitaxy). Cette technique permet de réaliser sous ultravide des couches minces épitaxiées sur des monocristaux. Cet équipement est constitué de plusieurs enceintes ultravides et d'une chambre de croissance pour laquelle le pompage a été particulièrement soigné. Il est dédié à l'élaboration d'hétérostructures à base de semiconducteurs III-V avec des propriétés électroniques performantes en termes de densité et de mobilité électronique. Les échantillons ainsi réalisés servent à élaborer des nanostructures ou dispositifs (transistors...) pour la physique mésoscopique et la photonique. PlatefOrme Élaboration des Matériaux (POEM) du C2N.

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