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Reference
20120001_0095
Surface de silicium à l'échelle atomique (protrusions jaunes). L'arrangement atomique est induit par
Surface de silicium à l'échelle atomique (protrusions jaunes). L'arrangement atomique est induit par la forte concentration d'impuretés de bore que contient le substrat de silicium. Certaines impuretés situées quelques plans atomiques sous la surface modifie le potentiel de surface. Elles génèrent une légère dépression (contraste rouge) qui se superpose au réseau d'atomes. L'atome vert correspond à un défaut atomique. Cette image a été obtenue par microscopie à effet tunnel à basse température (4K).
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